[发明专利]基板处理装置及方法

说明书

公开了节约药液的基板处理装置及方法。该装置包括：安置基板并且能够旋转的支承模块、围绕支承模块并且包括第一碗状件和布置在第一碗状件内侧的第二碗状件的壳体、向基板喷出第一药液的第一药液供应模块、以及向基板喷出与第一药液不同的第二药液的第二药液供应模块，其中，第一碗状件对应基板，并且支承模块以第一速度旋转的同时，第一药液供应模块供应第一药液，第二碗状件对应基板，并且支承模块以小于等于第一速度的第二速度旋转的同时，第二药液供应模块以第一流量供应第二药液，且第二碗状件对应基板，并且支承模块以小于第二速度的第三速度旋转的同时，第二药液供应模块不供应第二药液，或者以小于第一流量的第二流量供应第二药液。

技术领域

本发明涉及基板处理装置及方法。

背景技术

当制造半导体装置或显示装置时，执行光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积等各种工艺。这里，蚀刻工艺是去除形成在基板上的膜物质的工艺，且清洗工艺是去除残留在基板表面的污染物质的工艺。根据工艺进行方式，蚀刻/清洗工艺分为湿式方式和干式方式，且湿式方式分为分批型方式和旋转型方式。

在旋转型方式中，将基板固定到能够处理一张基板的支承模块之后，在旋转基板的同时通过喷嘴向基板供应药液，使得药液通过离心力扩散到基板的整个表面。

发明内容

然而，由于在蚀刻/清洗工艺中在旋转基板的同时持续供应药液，所以与蚀刻量或清洗量相比使用过多的药液。

本发明要解决的技术问题是提供用于节约药液的基板处理装置及方法。

本发明的技术问题不限于以上提及的技术问题，本领域的技术人员可以通过下面的描述清楚地理解未提及的其它技术问题。

用于解决上述技术问题的本发明的基板处理装置的一个方面包括：支承模块，用于安置基板，并且能够旋转；壳体，围绕所述支承模块的周围，并且包括第一碗状件和布置在所述第一碗状件的内侧的第二碗状件；第一药液供应模块，向所述基板喷出第一药液；以及第二药液供应模块，向所述基板喷出与所述第一药液不同的第二药液，其中，所述第一碗状件定位成对应于所述基板，并且所述支承模块以第一速度旋转的同时，所述第一药液供应模块供应第一药液，所述第二碗状件定位成对应于所述基板，并且所述支承模块以等于或小于所述第一速度的第二速度旋转的同时，所述第二药液供应模块以第一流量供应所述第二药液，且所述第二碗状件定位成对应于所述基板，并且所述支承模块以小于所述第二速度的第三速度旋转的同时，所述第二药液供应模块不供应所述第二药液，或者以小于所述第一流量的第二流量供应所述第二药液。

用于解决上述技术问题的本发明的基板处理装置的另一个方面包括：支承模块，用于安置基板，并且能够旋转；壳体，围绕所述支承模块的周围，并且包括第一碗状件和布置在所述第一碗状件的内侧的第二碗状件；第一药液供应模块，向所述基板喷出第一药液；以及第二药液供应模块，向所述基板喷出与所述第一药液不同的第二药液，其中，所述第一碗状件定位成对应于所述基板，并且所述支承模块以第一速度旋转的同时，所述第一药液供应模块供应第一药液，所述壳体使第二碗状件移动到与所述基板对应的位置的同时，所述支承模块以小于所述第一速度的第二速度旋转，并且所述第一药液供应模块供应第一药液，所述第二碗状件定位成对应于所述基板，并且所述支承模块以所述第二速度旋转的同时，所述第二药液供应模块以第一流量供应所述第二药液，所述第二碗状件定位成对应于所述基板，并且所述支承模块以小于所述第二速度的第三速度旋转的同时，所述第二药液供应模块中断所述第二药液的供应，所述壳体使所述第一碗状件移动到与所述基板对应的位置的同时，所述支承模块以大于所述第一速度的第四速度旋转，并且所述第二药液供应模块以大于所述第一流量的第二流量供应所述第二药液，且所述第一碗状件定位成对应于所述基板，并且所述支承模块以所述第四速度旋转的同时，所述第一药液供应模块供应所述第一药液。