[发明专利]一种功率半导体特性参数测试系统及方法在审

专利信息
申请号: 202111098043.4 申请日: 2021-09-18
公开(公告)号: CN113884850A 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 王异凡;龚金龙;宋琦华;孙明;王一帆;骆丽;王尊;刘黎;邵先军;王少华;陈虔;曾明全;李文燕;邓志江;张斌;林氦;郭清;陈少华 申请(专利权)人: 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院;浙江大学绍兴微电子研究中心
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 代理人: 许守金
地址: 310014 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 半导体 特性 参数 测试 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种功率半导体特性参数测试系统,其特征在于,

包括功率主回路、双脉冲测试电路、电感阻隔电路;

所述功率主回路设有叠层母排,用以获得低杂感;

所述双脉冲测试电路,用于对被测器件进行测试,其包括辅助功率半导体、感性负载、杂散电感,其通过叠层母排与电感阻隔电路并联在一起;

所述杂散电感、辅助功率半导体与待测功率半导体串联在在一起;

所述感性负载为负载电感,其与辅助功率半导体并联;

所述电感阻隔电路,用于阻隔寄生电感,其设有母线电容和吸收电容;

所述母线电容和吸收电容通过叠层母排并联在一起,并与双脉冲测试电路电连接。

2.如权利要求1所述的一种功率半导体特性参数测试系统,其特征在于,

所述辅助功率半导体、待测功率半导体结构相同,并分别设置体二极管;

所述叠层母排为拼接式弯折结构。

3.如权利要求1所述的一种功率半导体特性参数测试系统,其特征在于,

还包括双脉冲驱动电路、充放电回路、高压源;

所述双脉冲驱动电路,用于生成双脉冲驱动信号;

所述充放电回路设有若干继电器、限流电阻、保护二极管。

4.如权利要求3所述的一种功率半导体特性参数测试系统,其特征在于,

所述继电器分为充电继电器、放电继电器;

所述充电继电器的数量为两个,其包括充电继电器一、充电继电器二;

所述充电继电器一与保护二极管、限流电阻串联。

5.如权利要求4所述的一种功率半导体特性参数测试系统,其特征在于,

所述放电继电器串联一泄放电阻,并与一安全电阻并联。

6.如权利要求5所述的一种功率半导体特性参数测试系统,其特征在于,

所述安全电阻并联一均压电阻;所述均压电阻的电阻数量为两个,其与母线电容串联。

7.一种功率半导体特性参数测试方法,其特征在于,

应用于如权利要求1-6任一所述的一种功率半导体特性参数测试系统;

利用双脉冲进行测试,第一脉冲使流过被测器件的电流达到所需测试值,并获得被测器件的关断波形,第二脉冲用于观察被测器件的开通波形,其具体包括以下步骤:

第一步,关断待测功率半导体测试开关,使得电流ID迅速减小,同时,杂散电感LS会阻止其变化;

第二步,感应出尖峰电压ΔV叠加在被测器件两端,尖峰电压ΔV方向和电流减小方向一致;

第三步,负载电感和辅助功率半导体的反并联二极管形成续流回路,得到开关关断时刻的承受电压VDS,实现功率半导体特性参数的测试。

8.如权利要求7所述的一种功率半导体特性参数测试方法,其特征在于,

所述承受电压VDS计算公式如下:

VDS=VDD+ΔV

其中,为电流变化率,LS为杂散电感,VDD为过冲电压。

9.如权利要求7所述的一种功率半导体特性参数测试方法,其特征在于,

所述关断波形的获取方式如下:

在规定母线电压及测试电流的作用下,并当第一脉冲结束时刻,被测器件的波形变化,即为关断波形。

10.如权利要求7所述的一种功率半导体特性参数测试方法,其特征在于,

所述开通波形为第二脉冲到来时以及电流任务判断时的电流值;

所述第一脉冲和第二脉冲的发送间隔时间为t;

10us≤t≤30us。

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