[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法

说明书

本申请公开了一种电致发光器件，包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层及阴极，所述电致发光器件还包括间隔层，所述间隔层设置在所述发光层与所述电子传输层之间、和/或所述电子传输层与阴极之间，所述间隔层的材料选自Ag₂S纳米晶、NiS纳米晶及Ni(OH)S纳米晶中的至少一种。本申请的电致发光器件的间隔层设置在发光层与电子传输层之间可以削弱电子传输层材料表面的悬空键对发光层的淬灭效果；所述间隔层设置在电子传输层与阴极之间，可以钝化电子传输层的表面，减少氧空位的数量，从而减弱电子传输层中的氧空位对阴极的氧化。另，本申请还公开了一种电致发光器件的制备方法。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种电致发光器件及所述电致发光器件的制备方法。

背景技术

目前广泛使用的电致发光器件为有机电致发光器件(OLED)和量子点电致发光器件(QLED)。传统的OLED和QLED器件结构主要包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，电致发光器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。

常用的电子传输层材料有氧化锌颗粒、氧化镁锌颗粒、氧化铝锌颗粒等。所述电子传输层材料本身的尺寸较小而具有较大的比表面积，颗粒表面的原子会形成大量的悬空键，所述悬空键会对载流子(主要为电子)进行捕获，而导致电子传输效率降低，使得电子-空穴传输不平衡，而对发光层材料，尤其是量子点发光层的量子点，产生一定的激子淬灭，从而影响电致发光器件的光学性能。此外，电子传输层材料颗粒的表面具有大量的氧空位及羟基等具有氧化性的基团，所述氧空位会引起氧分子的吸附，所述羟基等具有氧化性的基团具有较强的氧化性，会引起电极的氧化，从而降低器件的导电能力及稳定性，且极易因电子传输层与阴极接触变差而产生闪烁现象。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种电致发光器件，旨在改善现有的电致发光器件电子传输效率低而导致的电子-空穴传输不平衡的问题。

本申请实施例是这样实现的，一种电致发光器件，包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层及阴极，所述电致发光器件还包括间隔层，所述间隔层设置在所述发光层与所述电子传输层之间、和/或所述电子传输层与阴极之间，所述间隔层的材料选自Ag₂S纳米晶、NiS纳米晶及Ni(OH)S纳米晶中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述间隔层的材料包括Ag₂S纳米晶和NiS纳米晶，所述Ag₂S纳米晶与NiS纳米晶的摩尔比的范围为(4：1)-(1：1)；和/或

所述间隔层的材料由Ag₂S纳米晶和NiS纳米晶组成，所述Ag₂S纳米晶与NiS纳米晶的摩尔比的范围为(4：1)-(1：1)。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述间隔层的材料包括Ag₂S纳米晶和Ni(OH)S纳米晶，所述Ag₂S纳米晶与Ni(OH)S纳米晶的摩尔比的范围为(4：1)-(1：1)；和/或

所述间隔层的材料由Ag₂S纳米晶和Ni(OH)S纳米晶组成，所述Ag₂S纳米晶与Ni(OH)S纳米晶的摩尔比的范围为(4：1)-(1：1)。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述间隔层的材料包括NiS纳米晶和Ni(OH)S纳米晶，所述NiS纳米晶与Ni(OH)S纳米晶的摩尔比的范围为(6：1)-(1：3)；和/或

所述间隔层的材料由NiS纳米晶和Ni(OH)S纳米晶组成，所述NiS纳米晶与Ni(OH)S纳米晶的摩尔比的范围为(6：1)-(1：3)。