[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202111093849.4 | 申请日： | 2021-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN115835676A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 张天朔 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/18 | 分类号： | H10K50/18;H10K71/00 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 方艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种电致发光器件，包括层叠设置的阳极、发光层、电子传输层及阴极，其特征在于：所述电致发光器件还包括间隔层，所述间隔层设置在所述发光层与所述电子传输层之间、和/或所述电子传输层与阴极之间，所述间隔层的材料选自Ag2S纳米晶、NiS纳米晶及Ni(OH)S纳米晶中的至少一种。
2.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述间隔层的材料包括Ag2S纳米晶和NiS纳米晶，所述Ag2S纳米晶与NiS纳米晶的摩尔比的范围为(4：1)-(1：1)；和/或
所述间隔层的材料由Ag2S纳米晶和NiS纳米晶组成，所述Ag2S纳米晶与NiS纳米晶的摩尔比的范围为(4：1)-(1：1)。
3.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述间隔层的材料包括Ag2S纳米晶和Ni(OH)S纳米晶，所述Ag2S纳米晶与Ni(OH)S纳米晶的摩尔比的范围为(4：1)-(1：1)；和/或
所述间隔层的材料由Ag2S纳米晶和Ni(OH)S纳米晶组成，所述Ag2S纳米晶与Ni(OH)S纳米晶的摩尔比的范围为(4：1)-(1：1)。
4.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述间隔层的材料包括NiS纳米晶和Ni(OH)S纳米晶，所述NiS纳米晶与Ni(OH)S纳米晶的摩尔比的范围为(6：1)-(1：3)；和/或
所述间隔层的材料由NiS纳米晶和Ni(OH)S纳米晶组成，所述NiS纳米晶与Ni(OH)S纳米晶的摩尔比的范围为(6：1)-(1：3)。
5.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述间隔层的材料包括Ag2S纳米晶、NiS纳米晶和Ni(OH)S纳米晶，所述Ag2S纳米晶、NiS纳米晶及Ni(OH)S纳米晶的摩尔比的范围为(8：1：1)-(1：1：1)；和/或
所述间隔层的材料由Ag2S纳米晶、NiS纳米晶和Ni(OH)S纳米晶组成，所述Ag2S纳米晶、NiS纳米晶及Ni(OH)S纳米晶的摩尔比的范围为(8：1：1)-(1：1：1)。
6.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述间隔层位于所述发光层与所述电子传输层之间，所述间隔层的厚度为5-10nm；和/或，
所述间隔层位于所述电子传输层与所述阴极之间，所述间隔层的厚度大于0且小于等于2nm。
7.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述电子传输层的材料选自ZnO、TiO2、BaTiO3、掺铝氧化锌、掺锂氧化锌及掺镁氧化锌中的至少一种；和/或
所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料、及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种；和/或
所述阴极的材料选自Ag、Al及Au中的至少一种。
8.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于：所述电子传输层的厚度范围为30-55nm。
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