[发明专利]LED外延结构及其制备方法

权利要求书

1.一种LED外延结构，其特征在于，从下至上依次包括：位于衬底上的底部缓冲层、第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层包括依次堆叠的第一型限制层、第一阻挡层以及第一型空间层；所述第二型半导体层包括依次堆叠的第二型空间层、第二阻挡层以及第二型限制层，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层为Al组分渐变的结构层。

2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层的材质包括AlGaAs。

3.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层的材质中的Al组分为0.2～0.5。

4.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一阻挡层的Al组分渐变的方式为：沿着所述衬底指向所述第一型半导体层的方向逐渐增加。

5.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为50nm～200nm。

6.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第二阻挡层的Al组分渐变的方式为：沿着所述衬底指向所述第一型半导体层的方向逐渐减少。

7.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第二阻挡层的厚度为50nm～200nm。

8.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第一型半导体层还包括依次堆叠的第一型欧姆接触层、第一型缓冲层以及第一型窗口层，所述第一型限制层位于所述第一型窗口层上。

9.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述第二型半导体层还包括依次堆叠的第二型缓冲层、第二型窗口层以及第二型欧姆接触层，所述第二型缓冲层位于所述第二型限制层上。

10.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括腐蚀截止层，且所述腐蚀截止层位于所述底部缓冲层与所述第一型半导体层之间。

11.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述衬底包括GaAs衬底、Si衬底以及蓝宝石衬底中的一种。

12.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述有源层的发光波长为700nm～760nm。

13.一种LED外延结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上生长底部缓冲层；

在所述底部缓冲层上依次生长第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层，其中，所述第一型半导体层包括依次堆叠的第一型限制层、第一阻挡层以及第一型空间层；所述第二型半导体层包括依次堆叠的第二型空间层、第二阻挡层以及第二型限制层，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层为Al组分渐变的结构层。

14.如权利要求13所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层的材质包括AlGaAs。

15.如权利要求13所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述第一阻挡层和第二阻挡层的材质中的Al组分为0.2～0.5。

16.如权利要求13所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述第一阻挡层的Al组分渐变的方式为：沿着所述衬底指向所述第一型半导体层的方向逐渐增加。

17.如权利要求13所述的LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度为50nm～200nm。