[发明专利]晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质

说明书

本发明提供一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。该方法包括：获取对晶圆片进行取像得到的晶圆片图像，所述晶圆片上置有晶粒阵列；确定所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的偏转角度，以矫正所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的角度；比较所述晶粒阵列中每个晶粒的理论位置以及实际位置，得到缺陷检测结果。通过本发明实现了对晶粒阵列进行自动化缺陷检测，提高了检测效率以及准确性。

技术领域

本发明涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。

背景技术

目前，MicroLED（微型发光二极管）的显示技术在制造上面临两个主要的技术挑战：一个是全彩显示，另一个为巨量转移。其中，巨量转移又称薄膜转移，就是将十万、百万量级的MicroLED晶粒转移到具有特定的驱动基板上，并组装成二维周期阵列。

由于转移的MicroLED晶粒数量过于庞大，在转移过程中难免会出现晶粒缺失，位置偏移等缺陷，这些缺陷会影响成品MicroLED面板的显示效果。因此，MicroLED面板制造厂商需要对经过巨量转移后的二维周期阵列进行缺陷检测。目前，主要是人工检测的方式，例如，基于巨量转移技术在晶圆片上搭载MicroLED晶粒阵列，在进行缺陷检测时，将晶圆片置于显微镜载台上后，调节显微镜聚焦，随机选择若干个视野，人工统计各个视野下各类缺陷数量及其占比，通过各个视野的准确率来对整体转移率进行估算。这种方式检测效率低，且评判标准受人为影响因素比较大，检测结果不可靠。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质。

第一方面，本发明提供一种晶粒阵列缺陷检测方法，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

获取对晶圆片进行取像得到的晶圆片图像，所述晶圆片上置有晶粒阵列；

确定所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的偏转角度，以矫正所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的角度；

比较所述晶粒阵列中每个晶粒的理论位置以及实际位置，得到缺陷检测结果。

可选的，所述晶圆片上存在至少一个标记图案，所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的偏转角度的确定包括：

确定所述晶圆片图像上的所述标记图案相对晶圆片图像上的基准线的偏转角度；

以所述晶圆片图像上的所述标记图案相对晶圆片图像上的基准线的偏转角度作为所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的偏转角度。

可选的，所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的角度的矫正包括：

以与所述偏转角度的方向相反的方向将所述晶圆片旋转所述偏转角度的大小。

可选的，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

获取晶圆片上的所述标记图案的位置；

获取所述标记图案与所述晶粒阵列中任一角点晶粒的理论横向距离、理论纵向距离以及所述晶粒阵列上晶粒的理论排布规则；

根据所述晶粒阵列上晶粒的理论排布规则、所述标记图案的位置、理论横向距离以及理论纵向距离得到所述晶粒阵列中每个晶粒的理论位置。

可选的，所述标记图案为十字形。

可选的，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

根据所述每个晶粒的理论位置确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖所述晶粒阵列；

分别对每个取像区域进行拍摄，基于拍摄得到的图像确定晶粒阵列中每个晶粒的实际位置。

可选的，所述得到缺陷检测结果包括：

筛选实际位置为空的第一类晶粒，标记所述第一类晶粒的缺陷类型为缺失；

计算实际位置不为空的第二类晶粒的理论位置与实际位置间的距离；