[发明专利]晶粒阵列缺陷检测方法、装置、设备及可读存储介质

权利要求书

1.一种晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

获取对晶圆片进行取像得到的晶圆片图像，所述晶圆片上置有晶粒阵列；

确定所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的偏转角度，以矫正所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的角度；

比较所述晶粒阵列中每个晶粒的理论位置以及实际位置，得到缺陷检测结果。

2.如权利要求1所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述晶圆片上存在至少一个标记图案，所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的偏转角度的确定包括：

确定所述晶圆片图像上的所述标记图案相对晶圆片图像上的基准线的偏转角度；

以所述晶圆片图像上的所述标记图案相对晶圆片图像上的基准线的偏转角度作为所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的偏转角度。

3.如权利要求2所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的角度的矫正包括：

以与所述偏转角度的方向相反的方向将所述晶圆片旋转所述偏转角度的大小。

4.如权利要求2所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

获取晶圆片上的所述标记图案的位置；

获取所述标记图案与所述晶粒阵列中任一角点晶粒的理论横向距离、理论纵向距离以及所述晶粒阵列上晶粒的理论排布规则；

根据所述晶粒阵列上晶粒的理论排布规则、所述标记图案的位置、理论横向距离以及理论纵向距离得到所述晶粒阵列中每个晶粒的理论位置。

5.如权利要求2至4中任一项所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述标记图案为十字形。

6.如权利要求1所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测方法包括：

根据所述每个晶粒的理论位置确定若干取像区域，其中，相邻取像区域间存在重合部分，所述若干取像区域覆盖所述晶粒阵列；

分别对每个取像区域进行拍摄，基于拍摄得到的图像确定晶粒阵列中每个晶粒的实际位置。

7.如权利要求1所述的晶粒阵列缺陷检测方法，其特征在于，所述得到缺陷检测结果包括：

筛选实际位置为空的第一类晶粒，标记所述第一类晶粒的缺陷类型为缺失；

计算实际位置不为空的第二类晶粒的理论位置与实际位置间的距离；

筛选理论位置与实际位置间的距离大于预设距离的第三类晶粒，标记所述第三类晶粒的缺陷类型为位置偏离。

8.一种晶粒阵列缺陷检测装置，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测装置包括：

获取模块，用于获取对晶圆片进行取像得到的晶圆片图像，所述晶圆片上置有晶粒阵列；

矫正模块，用于确定所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的偏转角度，以矫正所述晶粒阵列相对所述晶圆片图像的角度；

检测模块，用于比较所述晶粒阵列中每个晶粒的理论位置以及实际位置，得到缺陷检测结果。

9.一种晶粒阵列缺陷检测设备，其特征在于，所述晶粒阵列缺陷检测设备包括处理器、存储器、以及存储在所述存储器上并可被所述处理器执行的晶粒阵列缺陷检测程序，其中所述晶粒阵列缺陷检测程序被所述处理器执行时，实现如权利要求1至7中任一项所述的晶粒阵列缺陷检测方法的步骤。

10.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质上存储有晶粒阵列缺陷检测程序，其中所述晶粒阵列缺陷检测程序被处理器执行时，实现如权利要求1至7中任一项所述的晶粒阵列缺陷检测方法的步骤。