[发明专利]干燥装置、刻蚀设备及湿法清洗设备

说明书

本发明提供了一种干燥装置、刻蚀设备及湿法清洗设备。干燥装置包括：干燥腔室，包括腔室主体和盖体，盖体盖设在腔室主体顶部的开口上，腔室主体和盖体共同形成干燥腔；喷嘴，设置在腔室主体内，以向干燥腔内通入用于干燥待干燥件的气体；其中，盖体的内壁上设置有疏水层，以防止气体在盖体上凝结掉落至待干燥件上。本发明的干燥装置解决了现有技术中的晶圆在干燥过程中容易受到污染的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种干燥装置、刻蚀设备及湿法清洗设备。

背景技术

湿法清洗(wet clean)和刻蚀(etch)是3D NAND闪存的制造过程中的重要工艺。在湿法清洗和刻蚀中，为了有效去除晶圆(wafer)里残留的液体以及防止图案(pattern)倒塌，最后的干燥工序显得尤为重要。

目前，机台普遍利用马兰戈尼效应(Marangoni effect，不同表面张力的液体在固态薄膜上交换)来干燥晶圆，即利用异丙醇(IPA)取代去离子水(DIW，deionized water)。但是，当异丙醇的流量较大时，异丙醇在干燥腔内壁上凝结掉落至晶圆上，污染晶圆，造成晶圆图案倒塌；当异丙醇的流量较小时，异丙醇在干燥腔内壁上凝结掉落至晶圆上的问题未得到有效解决，且增大了干燥不彻底的风险。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种干燥装置、刻蚀设备及湿法清洗设备，以解决现有技术中的晶圆在干燥过程中容易受到污染的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种干燥装置，包括：干燥腔室，包括腔室主体和盖体，盖体盖设在腔室主体顶部的开口上，腔室主体和盖体共同形成干燥腔；喷嘴，设置在腔室主体内，以向干燥腔内通入用于干燥待干燥件的气体；其中，盖体的内壁上设置有疏水层，以防止气体在盖体上凝结掉落至待干燥件上。

进一步地，疏水层由疏水性树脂材料制成。

进一步地，疏水层与盖体可拆卸地连接。

进一步地，疏水层温度可调节地设置，在干燥装置进行干燥时，疏水层的温度高于预设温度；和/或，盖体温度可调节地设置，在干燥装置进行干燥时，盖体的温度高于预设温度；其中，预设温度为气体的沸点。

进一步地，干燥装置还包括加热件；加热件设置于疏水层，以对疏水层进行加热；和/或，加热件设置于盖体，以对盖体进行加热。

进一步地，加热件设置在疏水层和盖体之间。

进一步地，疏水层与盖体连接的一端设置有第一凹槽，加热件设置在第一凹槽内；或者，盖体与疏水层连接的一端设置有第二凹槽，加热件设置在第二凹槽内；或者，疏水层与盖体连接的一端设置有第一凹槽，盖体与疏水层连接的一端设置有第二凹槽，第一凹槽与第二凹槽相对设置，加热件设置在第一凹槽和第二凹槽内。

进一步地，干燥装置还包括隔热部，隔热部设置于盖体的外壁上。

根据本发明的另一方面，提供了一种刻蚀设备，包括干燥装置，其中，干燥装置为上述的干燥装置。

根据本发明的又一方面，提供了一种湿法清洗设备，包括干燥装置，其中，干燥装置为上述的干燥装置。

本发明的干燥装置包括干燥腔室，干燥腔室包括腔室主体和盖体，盖体盖设在腔室主体顶部的开口上，腔室主体和盖体共同形成干燥腔；腔室主体内设置有多个喷嘴，喷嘴用于喷出用于干燥的气体。该干燥装置的盖体的内壁上设置有疏水层，可以防止气体上升遇到盖体时吸附并凝结在盖体上，最终掉落至待干燥件上；具体地，待干燥件为晶圆，该干燥装置避免了气体凝结后堕落在晶圆上，不会污染晶圆，晶圆不会发生图案倒塌的情况。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：