[发明专利]干燥装置、刻蚀设备及湿法清洗设备在审
| 申请号： | 202111088397.0 | 申请日： | 2021-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN113948425A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王家成;苏界;张丝柳 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;F26B21/00;F26B21/14 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘鑫 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 干燥 装置 刻蚀 设备 湿法 清洗 | ||
1.一种干燥装置，其特征在于，包括：
干燥腔室(10)，包括腔室主体(11)和盖体(12)，所述盖体(12)盖设在所述腔室主体(11)顶部的开口上，所述腔室主体(11)和所述盖体(12)共同形成干燥腔(13)；
喷嘴(20)，设置在所述腔室主体(11)内，以向所述干燥腔(13)内通入用于干燥待干燥件(40)的气体；
其中，所述盖体(12)的内壁上设置有疏水层(30)，以防止所述气体在所述盖体(12)上凝结掉落至所述待干燥件(40)上。
2.根据权利要求1所述的干燥装置，其特征在于，所述疏水层(30)由疏水性树脂材料制成。
3.根据权利要求1所述的干燥装置，其特征在于，所述疏水层(30)与所述盖体(12)可拆卸地连接。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的干燥装置，其特征在于，
所述疏水层(30)温度可调节地设置，在所述干燥装置进行干燥时，所述疏水层(30)的温度高于预设温度；和/或
所述盖体(12)温度可调节地设置，在所述干燥装置进行干燥时，所述盖体(12)的温度高于所述预设温度；
其中，所述预设温度为所述气体的沸点。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的干燥装置，其特征在于，所述干燥装置还包括加热件；
所述加热件设置于所述疏水层(30)，以对所述疏水层(30)进行加热；和/或
所述加热件设置于所述盖体(12)，以对所述盖体(12)进行加热。
6.根据权利要求5所述的干燥装置，其特征在于，所述加热件设置在所述疏水层(30)和所述盖体(12)之间。
7.根据权利要求6所述的干燥装置，其特征在于，
所述疏水层与所述盖体(12)连接的一端设置有第一凹槽，所述加热件设置在所述第一凹槽内；或者
所述盖体(12)与所述疏水层连接的一端设置有第二凹槽，所述加热件设置在所述第二凹槽内；或者
所述疏水层与所述盖体(12)连接的一端设置有所述第一凹槽，所述盖体(12)与所述疏水层连接的一端设置有所述第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽相对设置，所述加热件设置在所述第一凹槽和所述第二凹槽内。
8.根据权利要求5所述的干燥装置，其特征在于，所述干燥装置还包括隔热部，所述隔热部设置于所述盖体(12)的外壁上。
9.一种刻蚀设备，包括干燥装置，其特征在于，所述干燥装置为权利要求1至8中任一项所述的干燥装置。
10.一种湿法清洗设备，包括干燥装置，其特征在于，所述干燥装置为权利要求1至8中任一项所述的干燥装置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111088397.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种气缸壳体泄气槽加工装置
- 下一篇：半导体结构的制作方法以及半导体结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
