[发明专利]体声波谐振结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202111082849.4 申请日: 2021-09-15
公开(公告)号: CN113904650A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 高智伟;林瑞钦 申请(专利权)人: 武汉衍熙微器件有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/05;H03H3/02
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 王军红;张颖玲
地址: 430205 湖北省武汉市江夏区藏龙岛*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 声波 谐振 结构 及其 制造 方法
【说明书】:

发明实施例公开了一种体声波谐振结构及其制造方法,其中,所述体声波谐振结构包括:衬底;依次层叠于所述衬底上的反射结构、第一电极层、压电层、第二电极层;至少部分位于所述压电层之上的支撑层,所述支撑层的部分内侧壁处于有源区的边缘,且与所述第二电极层接触;位于所述支撑层上的保护层;所述保护层与所述第二电极层之间形成有第一空腔;所述反射结构、第一电极层、压电层、第二电极层沿所述衬底厚度方向投影重叠区域为有源区。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域,特别涉及一种体声波谐振结构及其制造方法。

背景技术

体声波(BAW,Bulk Acoustic Wave)谐振器(或称为“体声波谐振结构”)具有体积小、品质因数(Q值)高等优点,因此,被广泛应用在移动通讯技术中,如移动终端中的滤波器或双工器。而在移动终端中,存在多个频段同时使用的情况,这要求滤波器或双工器具有更加陡峭的裙边和更小的插入损耗。滤波器的性能由构成它的谐振器决定,提高谐振器的Q值可以实现陡峭的裙边和小的插入损耗。如何提高体声波谐振器的Q值成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例提供一种体声波谐振结构及其制造方法。

本发明实施例一方面提供了一种体声波谐振结构,包括:

衬底;

依次层叠于所述衬底上的反射结构、第一电极层、压电层、第二电极层;

至少部分位于所述压电层之上的支撑层,所述支撑层的部分内侧壁处于有源区的边缘,且与所述第二电极层接触;

位于所述支撑层上的保护层;所述保护层与所述第二电极层之间形成有第一空腔;

所述反射结构、第一电极层、压电层、第二电极层沿所述衬底厚度方向投影重叠的区域为有源区。

本发明实施例另一方面提供了一种体声波谐振结构的制造方法,包括:

在衬底上依次形成层叠设置的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层;

在所述压电层之上形成至少部分支撑层;其中,所述支撑层的部分内侧壁处于有源区的边缘,且与所述第二电极层接触;

在所述支撑层上形成保护层;所述保护层与所述第二电极层之间形成有第一空腔;

所述反射结构、第一电极层、压电层、第二电极层沿所述衬底厚度方向投影重叠的区域为有源区。

本发明实施例中,在压电层上设置支撑层,该支撑层的部分内部侧壁处于有源区的边缘,且与第二电极层接触,另外,在该支撑层上形成保护层,保护层与第二电极层之间形成有第一空腔。这样,通过在有源区的边缘设置支撑层和保护层,使得支撑层能够抑制体声波谐振器在受到电场激励时产生的横向剪切波(侧向波),减小纵波的能量损耗,从而提高Q值。并且,相较于相关技术中支撑层与保护层之间的接触面积,本发明实施例中的支撑层与保护层之间的接触面积增加,进而使得支撑层与保护层的结合更加牢固,更有利于提高谐振结构的可靠性。

附图说明

图1为本发明实施例提供的体声波谐振结构中压电层因压电效应而产生声波的示意图;

图2为本发明实施例提供的一种体声波谐振结构的剖视示意图一;

图3a为本发明实施例提供的一种体声波谐振结构的剖视示意图二;

图3b为本发明实施例提供的一种体声波谐振结构的剖视示意图三;

图3c为本发明实施例提供的一种体声波谐振结构的剖视示意图四;

图4为相关技术中提供的一种体声波谐振结构的剖视示意图;

图5为本发明实施例提供的一种体声波谐振结构的剖视示意图五;

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