[发明专利]电致发光显示装置和头戴式显示装置在审
申请号: | 202111080189.6 | 申请日: | 2021-09-15 |
公开(公告)号: | CN114551507A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 郭奉春;刘彦相;全载薰 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G02B27/01 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;高岩 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示装置 头戴式 | ||
公开了电致发光显示装置和头戴式显示装置。电致发光显示装置包括:第一至第三子像素,第一至第三子像素中的每个子像素包括接触区域和发光区域,每个子像素设置有第一电极,第一电极从各个子像素的发光区域延伸至接触区域;第一反射层,第一反射层设置在第一子像素的发光区域中并且与第一子像素的第一电极电绝缘;第二反射层,第二反射层至少设置在第二子像素的发光区域中;以及第三反射层,第三反射层至少设置在第三子像素的发光区域中。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年11月19日提交的韩国专利申请第10-2020-0155435号的权益,其通过引用结合于此,如同在此完全阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及电致发光显示装置。
背景技术
电致发光显示装置具有其中在阳极电极与阴极电极之间形成发光层的结构,并且是通过使发光层通过两个电极之间的电场发光来显示图像的装置。
发光层可以包括通过使由电子和空穴的结合产生的激子从激发态跃迁到基态而发光的有机材料,或者可以包括诸如量子点的无机材料。
发光层可以被配置成每个子像素发射不同的各个颜色的光,例如,每个子像素红光、绿光和蓝光,或者可以被配置成每个子像素发射相同颜色的光,例如白光。
在相关技术中已经提出了一种通过在每个子像素中实现微腔来提高发光效率的方法。
然而,由于阳极电极或发光层每个子像素具有不同的厚度以实现每个子像素的微腔,所以出现了难以控制工艺的问题。
发明内容
鉴于上述问题做出了本公开内容,并且本公开内容的目的是提供一种电致发光显示装置,该电致发光显示装置易于控制工艺,同时通过实现微腔而提高了发光效率。
根据本公开内容的一个方面,可以通过提供一种电致发光显示装置来实现上述和其他目的,该电致发光显示装置包括:基板,该基板设置有第一子像素、第二子像素和第三子像素;电路元件层,设置在基板上,并且包括设置在第一子像素至第三子像素中的每个子像素中的驱动薄膜晶体管;反射层,设置在电路元件层上方,并且包括设置在第一子像素中的第一反射层、设置在第二子像素中的第二反射层、以及设置在第三子像素中的第三反射层;第一电极,设置在第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每个子像素中并且设置在反射层上方,每个子像素中的第一电极经由接触电极与该子像素中的驱动薄膜晶体管电连接;发光层,设置在第一电极上;以及第二电极,设置在发光层上,其中,第一子像素的第一电极通过第一接触电极与第一子像素的驱动薄膜晶体管电连接,并且第一反射层与第一子像素的第一电极和第一接触电极电绝缘。
根据本公开内容的另一个方面,可以通过提供一种电致发光显示装置来实现上述和其他目的,该电致发光显示装置包括:第一至第三子像素,第一至第三子像素中的每个子像素包括接触区域和发光区域,每个子像素设置有第一电极,第一电极从各个子像素的发光区域延伸至接触区域;第一反射层,第一反射层设置在第一子像素的发光区域中并且与第一子像素的第一电极电绝缘;第二反射层,第二反射层至少设置在第二子像素的发光区域中;以及第三反射层,第三反射层至少设置在第三子像素的发光区域中。
除了如上所述的本公开内容的效果,本领域技术人员将从本公开内容的以下描述中清楚地理解本公开内容的其他目的和特征。
附图说明
从以下结合附图的详细描述中,将更清楚地理解本公开内容的上述和其他目的、特征和其他优点,其中:
图1是示出根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的电路示意图;
图2是示出根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的平面图;
图3是示出根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的沿图2的线A-B截取的截面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的