[发明专利]电致发光显示装置和头戴式显示装置在审
申请号: | 202111080189.6 | 申请日: | 2021-09-15 |
公开(公告)号: | CN114551507A | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 郭奉春;刘彦相;全载薰 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G02B27/01 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;高岩 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 显示装置 头戴式 | ||
1.一种电致发光显示装置,包括:
基板,所述基板设置有第一子像素、第二子像素和第三子像素;
电路元件层,所述电路元件层设置在所述基板上,并且包括设置在所述第一子像素至所述第三子像素中的每个子像素中的驱动薄膜晶体管;
反射层,所述反射层设置在所述电路元件层上方,并且包括设置在所述第一子像素中的第一反射层、设置在所述第二子像素中的第二反射层、以及设置在所述第三子像素中的第三反射层;
第一电极,所述第一电极设置在所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素中的每个子像素中并且设置在所述反射层上方,每个子像素中的所述第一电极经由接触电极与该子像素中的所述驱动薄膜晶体管电连接;
发光层,所述发光层设置在所述第一电极上;以及
第二电极,所述第二电极设置在所述发光层上,
其中,所述第一子像素的所述第一电极通过第一接触电极与所述第一子像素的所述驱动薄膜晶体管电连接,并且所述第一反射层与所述第一子像素的所述第一电极和所述第一接触电极电绝缘。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述第一反射层和所述第二反射层中的至少一个与设置在所述电路元件层中的线路或电极电连接。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中,所述第一接触电极包括与所述第一子像素的所述驱动薄膜晶体管连接的第一下接触电极、与所述第一子像素的所述第一电极连接的第一上接触电极、以及在所述第一下接触电极与所述第一上接触电极之间连接所述第一下接触电极与所述第一上接触电极的第一中心接触电极,并且所述第一反射层在与所述第一下接触电极相同的层上由与所述第一下接触电极相同的材料制成并且与所述第一下接触电极间隔开。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,还包括设置在所述第二子像素中的所述第二反射层下方的第一导电层,其中,所述第一导电层在与所述第一反射层相同的层上由与所述第一反射层相同的材料制成并且与所述第二子像素的所述第一电极电绝缘。
5.根据权利要求4所述的电致发光显示装置,其中,所述第二反射层设置在所述第一导电层与所述第二子像素的所述第一电极之间,并且与所述第二子像素的所述第一电极电连接。
6.根据权利要求4所述的电致发光显示装置,其中,所述第二反射层设置在所述第一导电层与所述第二子像素的所述第一电极之间,与所述第二子像素的所述第一电极电绝缘,并且与所述第一导电层电连接。
7.根据权利要求4所述的电致发光显示装置,其中,所述第二反射层设置在所述第一导电层与所述第二子像素的所述第一电极之间,与所述第二子像素的所述第一电极电绝缘,并且与所述第一导电层电绝缘。
8.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,还包括第二导电层,所述第二导电层设置在所述第三子像素中的所述第三反射层的下方,其中,所述第二导电层在与所述第一反射层相同的层上由与所述第一反射层相同的材料制成并且与所述第三子像素的所述第一电极电绝缘。
9.根据权利要求8所述的电致发光显示装置,其中,所述第三反射层设置在所述第二导电层与所述第三子像素的所述第一电极之间,并且与所述第三子像素的所述第一电极电连接。
10.根据权利要求8所述的电致发光显示装置,还包括第三导电层,所述第三导电层在所述第三子像素中设置在所述第二导电层与所述第三反射层之间,其中,所述第三导电层在与所述第二反射层相同的层上由与所述第二反射层相同的材料制成并且与所述第二导电层、所述第三反射层和所述第三子像素的所述第一电极电绝缘。
11.根据权利要求8所述的电致发光显示装置,还包括第三导电层,所述第三导电层在所述第三子像素中设置在所述第二导电层与所述第三反射层之间,其中,所述第三导电层在与所述第二反射层相同的层上由与所述第二反射层相同的材料制成并且与所述第二导电层电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的