[发明专利]管芯堆叠结构及其制造方法

权利要求书

1.一种管芯堆叠结构，包括：

内连结构；

逻辑管芯，电连接到所述内连结构，其中所述逻辑管芯包括第一介电接合结构；

控制管芯，在侧向上与所述逻辑管芯隔开且电连接到所述内连结构；

第一绝缘包封体，在侧向上包封所述逻辑管芯及所述控制管芯；

虚设管芯，堆叠在所述逻辑管芯上，其中所述逻辑管芯位于所述内连结构与所述虚设管芯之间，所述虚设管芯包括第二介电接合结构，且接合界面位于所述第一介电接合结构与所述第二介电接合结构之间；

存储器立方体，堆叠在所述控制管芯上且电连接到所述控制管芯，其中所述控制管芯位于所述内连结构与所述存储器立方体之间；以及

第二绝缘包封体，在侧向上包封所述虚设管芯及所述存储器立方体。

2.根据权利要求1所述的管芯堆叠结构，其中所述逻辑管芯的厚度、所述控制管芯的厚度及所述第一绝缘包封体的厚度实质上彼此相同，且所述虚设管芯的厚度、所述存储器立方体的厚度及所述第二绝缘包封体的厚度实质上彼此相同。

3.根据权利要求1所述的管芯堆叠结构，其中所述接合界面是熔融接合界面。

4.根据权利要求1所述的管芯堆叠结构，其中所述虚设管芯与所述逻辑管芯、所述控制管芯、所述存储器立方体及所述内连结构电隔离。

5.一种管芯堆叠结构，包括：

内连结构，包括第一接合结构；

逻辑管芯，堆叠在所述内连结构上且包括第二接合结构，其中所述逻辑管芯通过所述第二接合结构及所述第一接合结构电连接到所述内连结构，且第一混合接合界面位于所述第二接合结构与所述第一接合结构之间；

控制管芯，堆叠在所述内连结构上且包括第三接合结构，其中所述控制管芯通过所述第三接合结构及所述第一接合结构电连接到所述内连结构，所述第一混合接合界面位于所述第三接合结构与所述第一接合结构之间，且所述控制管芯与所述逻辑管芯并排地设置；

第一绝缘包封体，在侧向上包封所述逻辑管芯及所述控制管芯；

虚设管芯，堆叠在所述逻辑管芯上；

存储器立方体，堆叠在所述控制管芯上且电连接到所述控制管芯；以及

第二绝缘包封体，在侧向上包封所述虚设管芯及所述存储器立方体。

6.根据权利要求5所述的管芯堆叠结构，其中所述控制管芯包括与所述第三接合结构相对地设置的第四接合结构，所述存储器立方体包括第五接合结构，所述存储器立方体通过所述第五接合结构及所述第四接合结构电连接到所述控制管芯，且第二混合接合界面位于所述第五接合结构与所述第四接合结构之间。

7.根据权利要求5所述的管芯堆叠结构，其中所述第二绝缘包封体包括模制层及衬垫层，所述衬垫层位于所述虚设管芯与所述模制层之间及所述存储器立方体与所述模制层之间，且所述模制层的材料与所述衬垫层的材料不同。

8.根据权利要求5所述的管芯堆叠结构，其中所述存储器立方体包括依序堆叠在所述控制管芯上的多个存储器管芯，所述虚设管芯包括依序堆叠在所述逻辑管芯上的多个虚设区块，且所述虚设管芯的厚度与所述存储器立方体的厚度实质上相等。

9.一种管芯堆叠结构的制造方法，包括：

在半导体衬底上形成内连结构；

将逻辑管芯及控制管芯通过混合接合工艺电连接到所述内连结构；

将虚设管芯接合到所述逻辑管芯；

将存储器立方体通过另一混合接合工艺电连接到所述控制管芯；

执行包封工艺，以包封所述逻辑管芯、所述控制管芯、所述虚设管芯及所述存储器立方体；

从所述内连结构移除所述半导体衬底；以及

执行单体化工艺以切割所述内连结构，从而形成所述管芯堆叠结构。

10.根据权利要求9所述的管芯堆叠结构的制造方法，其中在将所述虚设管芯接合到所述逻辑管芯以及将所述存储器立方体电连接到所述控制管芯之前，所述管芯堆叠结构的制造方法还包括：

移除所述逻辑管芯的部分及所述控制管芯的部分，以在所述逻辑管芯中形成第一凹槽及在所述控制管芯中形成第二凹槽；以及

在所述第一凹槽中形成第一接合膜及在所述第二凹槽中形成第二接合膜。