[发明专利]存储器件以及存储器件的操作方法

说明书

一种存储器件的操作方法包括：从存储器件中包括的多个存储芯片的每一个存储芯片的多个接收器选择接收器作为第一接收器。多个存储芯片共享多条数据信号线，每一个存储芯片包括分别连接到该存储芯片的多个接收器的多个片上端接(ODT)电阻器。该方法还包括：将连接到第一接收器的每一个ODT电阻器设置为第一电阻值，将连接到不是第一接收器的接收器的ODT电阻器设置为第二电阻值，并且通过执行训练操作设置每一个第一接收器的均衡器电路的放大强度。多条数据信号线中的每一条数据信号线连接到一个第一接收器。

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2020年9月29日提交的第10-2020-0127483号韩国专利申请和于2021年2月3日提交的第10-2021-0015653号韩国专利申请的优先权，这些韩国专利申请的公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

发明构思涉及存储器件，并且更具体地涉及包括多个存储芯片和多条数据信号线的存储器件，以及存储器件的操作方法。

背景技术

在包括诸如动态随机存取存储(DRAM)器件或静态随机存取存储(SRAM)器件的高速存储器件的存储系统中，控制器和存储器件之间的通信速度已经提高。在这种系统中控制器和存储器件可以通过经由通道发送和接收高速信号而通信。

发明内容

发明构思的实施例提供包括多个存储芯片和多条数据信号线的存储器件以及存储器件的操作方法。

根据发明构思的实施例，一种存储器件的操作方法包括：响应于选择控制信号，从所述存储器件中包括的多个存储芯片中的每一个存储芯片的多个接收器选择接收器作为第一接收器，其中，所述多个存储芯片共享多条数据信号线，每一个存储芯片包括分别连接到该存储芯片的所述多个接收器的多个片上端接(on-die termination，ODT)电阻器。所述方法还包括：响应于模式寄存器设置命令信号，将连接到第一接收器的每一个ODT电阻器设置为第一电阻值；将连接到不是第一接收器的接收器的ODT电阻器设置为第二电阻值；以及通过执行训练操作设置每一个第一接收器的均衡器电路的放大强度。所述多条数据信号线中的每一条数据信号线连接到一个第一接收器。

根据发明构思的实施例，一种存储器件的操作方法包括：选择所述存储器件中包括的多个存储芯片的第一组和第二组，其中，所述多个存储芯片共享多条数据信号线；选择所述第一组中的每一个存储芯片中的多个接收器作为第一接收器；设置每一个存储芯片中包括的片上端接(ODT)电阻器的电阻值，其中，每一个ODT电阻器连接到所述多个接收器中的一个接收器；以及通过执行训练操作设置每一个第一接收器的均衡器电路的放大强度。每一条数据信号线连接到一个第一接收器。

根据发明构思的实施例，一种存储器件包括共享多条数据信号线的多个存储芯片。所述多个存储芯片中的每一个存储芯片包括：分别连接到所述多条数据信号线的多个输入/输出焊盘以及分别连接到所述多个输入/输出焊盘的多个片上端接(ODT)电阻器。所述多个存储芯片中的每一个存储芯片被配置成：响应于选择控制信号，从所述多个输入/输出焊盘之中选择第一焊盘；响应于模式寄存器设置命令信号，将连接到所述第一焊盘的ODT电阻器设置为第一电阻值；以及将连接到所述多个输入/输出焊盘的未被选择的输入/输出焊盘的每一个ODT电阻器设置为第二电阻值。每一条数据信号线连接到一个第一焊盘。

附图说明

通过参考附图详细地描述发明构思的各实施例，发明构思的上述和其它特征将变得更明显，在附图中：

图1为根据发明构思的实施例的存储系统的框图；

图2为根据发明构思的实施例的存储系统的图；

图3为根据发明构思的实施例的存储器件的操作方法的流程图；

图4为示出根据发明构思的实施例的存储器件的操作的框图；

图5为示出根据发明构思的实施例的存储器件的操作的框图；