[发明专利]存储器件以及存储器件的操作方法

权利要求书

1.一种存储器件的操作方法，所述操作方法包括：

响应于选择控制信号，从所述存储器件中包括的多个存储芯片中的每一个存储芯片的多个接收器选择接收器作为第一接收器，其中，所述多个存储芯片共享多条数据信号线，其中，每一个存储芯片包括分别连接到该存储芯片的所述多个接收器的多个片上端接电阻器；

响应于模式寄存器设置命令信号，将连接到第一接收器的每一个片上端接电阻器设置为第一电阻值，并且将连接到不是第一接收器的接收器的片上端接电阻器设置为第二电阻值；以及

通过执行训练操作设置每一个第一接收器的均衡器电路的放大强度，

其中，所述多条数据信号线中的每一条数据信号线连接到一个第一接收器。

2.根据权利要求1所述的操作方法，所述操作方法还包括：将存储芯片的第一接收器中包括的均衡器电路的所述放大强度应用到该存储芯片的不是第一接收器的接收器中包括的均衡器电路。

3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述的选择接收器作为第一接收器包括：在每一个存储芯片中选择不止一个接收器作为第一接收器，并且

其中，所述操作方法还包括：将存储芯片的所述第一接收器中包括的均衡器电路的所述放大强度的平均值、最大值和最小值中的任意一者应用到该存储芯片的不是第一接收器的接收器中包括的均衡器电路。

4.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述训练操作包括：

同时激活所述多个存储芯片；以及

响应于片上端接控制信号，启用每一个存储芯片中包括的片上端接电阻器。

5.根据权利要求4所述的操作方法，其中，所述训练操作还包括：将连接到所述第一接收器的所述片上端接电阻器设置为第一电阻值，并且将不连接到所述第一接收器的所述片上端接电阻器设置为第二电阻值。

6.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述训练操作包括：

响应于包括控制代码信息的控制信号，生成控制代码，其中，均衡器电路的所述放大强度基于所述控制代码并且对应于多个放大强度间隔之中的放大强度间隔；

响应于写入命令信号，将写入数据编程到存储单元；以及

响应于读取命令信号，通过读取被编程到所述存储单元的所述写入数据来生成读取数据。

7.根据权利要求6所述的操作方法，所述操作方法还包括：在所述的生成读取数据之前，响应于片上端接控制信号，禁用每一个存储芯片中包括的所述片上端接电阻器。

8.根据权利要求6所述的操作方法，其中，所述训练操作还包括：针对所述多个放大强度间隔中的每一个放大强度间隔，重复地执行所述生成控制代码、所述将写入数据编程以及所述生成读取数据，直至最优放大强度被确定，并且

其中，所述的设置放大强度包括：将所述放大强度设置为所述最优放大强度。

9.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述的选择接收器作为第一接收器包括：基于与所述多个存储芯片的每一个存储芯片对应的芯片标识信息，选择接收器作为第一接收器。

10.一种存储器件的操作方法，所述操作方法包括：

选择所述存储器件中包括的多个存储芯片的第一组和第二组，其中，所述多个存储芯片共享多条数据信号线；

选择所述第一组中的每一个存储芯片中的多个接收器作为第一接收器；

设置每一个存储芯片中包括的片上端接电阻器的电阻值，其中，每一个片上端接电阻器连接到所述多个接收器中的一个接收器；以及

通过执行训练操作设置每一个第一接收器的均衡器电路的放大强度，其中，每一条数据信号线连接到一个第一接收器。

11.根据权利要求10所述的操作方法，其中，所述的设置片上端接电阻器的电阻值包括：响应于包括第一模式寄存器设置信息的第一信号，将连接到第一接收器的每一个片上端接电阻器设置为第一电阻值。