[发明专利]防污膜及其用途

说明书

本发明提供一种防污膜及其用途。所述防污膜，包含：一金属材料的软片材，其中，且所述软片材的中心线算术平均粗糙度Ra为0.1微米(μm)至6μm、面的算术平均高度Sa为0.1μm至6μm、界面展开面积比Sdr为0.1至6、相对于光滑面的比例Surf(％)为160％至700％。其具有强大抓附力。因此，本发明另外提供一种防污膜的用途，其用于增长一薄膜沉积设备进行一薄膜沉积制程的上机时间、提高上机使用效率，其中，所述防污膜是前述防污膜。本发明能使薄膜沉积的产品无污染、提高产品品质。

技术领域

本发明关于一种防污膜，特别是关于一种用于薄膜沉积设备的防污膜。

背景技术

物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)技术中的溅镀沉积(sputterdeposition)和蒸镀(evaporation deposition)是常见的薄膜沉积制程，两者皆常用于生产积体电路电极与扩散阻挡层薄膜、磁记录介质用磁性薄膜铟锡氧化物(Indium TinOxide，ITO)透明导电膜。

现有物理气相沉积技术通常会导致所制得的薄膜上积聚粗大颗粒。所述粗大颗粒由数个细颗粒在基板上积聚形成。所述粗大颗粒的直径可达数微米，其在大型积体电路(large scale integration，LSI)等基板上积聚会造成互连短接、断接或导致不合格产品的比例增加等问题。

粗大颗粒主要是由薄膜沉积设备产生，大部分源自于沉积到基板和薄膜沉积设备内壁(例如室壁)、护板和薄膜沉积设备其他部件上后又剥离的薄膜。颗粒以破碎状态四散再随机堆积于基板上，构成一种主要污染源。然而，薄膜沉积设备内壁实际上非常难以保持清洁。完全清洁内部通常需要较长时间，而且清洁工人(即清洁技术人员)有时根本无法接近薄膜沉积设备内壁和内部各部件。为减少内壁粗颗粒数量，通常需要先对最容易受污染影响的内壁表面进行物理粗糙化，例如：喷砂处理或铝熔射处理，从而整体固定或捕集沉淀物。此种方法要求对设备进行精心维护，然而对沉淀物的抗剥落效果仍然相当弱。

发明内容

有鉴于现有技术的经过粗糙化处理的薄膜沉积设备上的沉积物仍容易剥落、无法避免薄膜沉积设备的腔体内的产品污染，本发明提供一种防污膜，其具有强大抓附力，而能延长薄膜沉积制程中沉淀物自薄膜沉积设备的剥落时间，进一步使操作薄膜沉积设备进行薄膜沉积的上机时间增长且提高上机使用效率。

为达成前述目的，本发明提供一种防污膜，包含：一软片材，其中，所述软片材包含一金属材料；所述软片材的中心线算术平均粗糙度(arithmetic mean deviation of theassessed profile，Ra)为0.1微米(μm)至6μm、面的算术平均高度(arithmetical meanheight of the scale limited surface，Sa)为0.1μm至6μm、界面展开面积比(面积增大程度)(developed interfacial area ratio of the scale-limited surface，Sdr)为0.1至6、相对于光滑面的比例(Surf(％))为160％至700％。

当使用本发明的防污膜时，因防污膜具有特定的Ra、Sa、Sdr、以及Surf(％)数值范围，因此可具有强大抓附力、能延长薄膜沉积制程中产生的沉淀物自薄膜沉积设备的剥落时间、进一步使薄膜沉积设备的上机时间增长，且能避免所得的薄膜沉积产品于制程中受到污染、进而提升前述产品的品质及良率，并能保护并降低设备损耗。

依据本发明，所述Ra根据ISO 4287规定的标准方法定义。较佳的，所述软片材的Ra为0.9μm至5.3μm，或为此范围中任两点所形成的范围中的任意值。更佳的，Ra为1.2μm至4.8μm，再又更佳的，Ra为2.0μm至3.5μm。

依据本发明，所述Sa根据ISO 25178-2:2012规定的标准方法定义。较佳的，所述软片材的Sa为0.3μm至5.3μm，或为此范围中任两点所形成的范围中的任意值。更佳的，Sa为1μm至5.2μm，再更佳的，Sa为1.5μm至3μm。