[发明专利]一种栅控型的界面型纳流体忆阻器及其制备方法在审
申请号: | 202111064414.7 | 申请日: | 2021-09-10 |
公开(公告)号: | CN113948636A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 张盼;王玮;郭业昌 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 张晓玲 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 栅控型 界面 流体 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种界面型纳流体忆阻器,包括:衬底;纳米沟道,设置在所述衬底顶部;金属层,覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面;以及二氧化硅层,覆盖所述金属层的部分表面。本发明的界面型纳流体忆阻器采用金属层作为栅控电极,可有效防止漏电流对其他器件的影响,且由该忆阻器形成的忆阻器阵列的加工工艺相比现有技术非常简单。此外,本发明的界面型纳流体忆阻器作为一种纳流体神经突触器件,既可实现兴奋型纳流体神经突触器件的功能,又可实现抑制型纳流体神经突触器件功能。另外,本发明还涉及所述界面型纳流体忆阻器的制备方法。
技术领域
本发明涉及微纳电子技术领域,具体涉及一种栅控型的界面型纳流体忆阻器及其制备方法。
背景技术
在忆阻器概念提出将近四十年之后,惠普实验室第一次做出基于金属氧化物的忆阻器。迄今为止出现了各种各样的忆阻器,包括无机金属氧化物忆阻器、有机忆阻器和钙钛矿忆阻器。忆阻器的独特性质使其在低功耗存储器件和神经形态计算中有着广泛的应用。液体忆阻器是一种使用软性材料的忆阻器,所述软性材料包括液态金属、电解质、离子液体和离子凝胶。液体忆阻器具有制备简单、成本低和柔性等特点,在仿生神经形态计算结构中表现出极大的应用潜力。
虽然忆阻器阵列可以达到很高的集成密度,但是由于它存在漏电流的问题,可能导致所选中的单元无法被读写。目前,通过在每个忆阻器节点使每个忆阻器连接一个选通器件(如二极管或晶体管)可以避免漏电流的影响。然而,这导致忆阻器阵列的加工工艺变得非常复杂。
因此,需要开发一种既能够有效避免漏电流影响且能够简化忆阻器阵列加工工艺的忆阻器。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的缺点,提供一种栅控型的界面型纳流体忆阻器,该忆阻器采用金属层作为栅控电极,可有效防止漏电流对其他器件的影响,且由该忆阻器形成的忆阻器阵列的加工工艺相比现有技术非常简单。
本发明的另一目的是提供所述纳流体忆阻器的制备方法。
为了实现以上目的,本发明提供如下技术方案。
一种界面型纳流体忆阻器,包括:
衬底;
纳米沟道,设置在所述衬底顶部;
金属层,覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面;以及
二氧化硅层,覆盖所述金属层的部分表面。
所述界面型纳流体忆阻器的制备方法,包括:
提供衬底;
在所述衬底顶部形成纳米沟道;
在所述纳米沟道的底部和侧壁上以及在位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面上形成金属层;
在所述金属层上形成二氧化硅层;以及
去除部分二氧化硅层,从而使相对应部分的金属层暴露。
与现有技术相比,本发明达到了以下技术效果:
1、本发明的界面型纳流体忆阻器采用金属层作为栅控电极,可有效防止漏电流对其他器件的影响,且由该忆阻器形成的忆阻器阵列的加工工艺相比现有技术非常简单。
2、本发明的界面型纳流体忆阻器作为一种纳流体神经突触器件,既可实现兴奋型纳流体神经突触器件的功能,又可实现抑制型纳流体神经突触器件功能。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
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