[发明专利]一种栅控型的界面型纳流体忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种界面型纳流体忆阻器，其特征在于，包括：

衬底；

纳米沟道，设置在所述衬底顶部；

金属层，覆盖所述纳米沟道的底部和侧壁并且覆盖位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面；以及

二氧化硅层，覆盖所述金属层的部分表面。

2.根据权利要求1所述的界面型纳流体忆阻器，其特征在于，还包括：第一微米沟道，设置在所述衬底顶部，且与所述纳米沟道的一端连通；以及第二微米沟道，设置在所述衬底顶部，且与所述纳米沟道的另一端连通。

3.根据权利要求2所述的界面型纳流体忆阻器，其特征在于，所述第一微米沟道设置有与其连通的第一储液池，用于向所述纳米沟道中填充第一液体；所述第二微米沟道设置有与其连通的第二储液池，用于向所述纳米沟道中填充第二液体。

4.根据权利要求1所述的界面型纳流体忆阻器，其特征在于，所述纳米沟道的两端设置有与其连通的第一储液池和第二储液池，用于向所述纳米沟道中填充第一液体和第二液体。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的界面型纳流体忆阻器，其特征在于，所述金属层为铬金属、钛金属、镍金属或铂金属。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的界面型纳流体忆阻器，其特征在于，所述衬底为硅衬底或聚二甲基硅氧烷衬底。

7.根据权利要求3或4所述的界面型纳流体忆阻器，其特征在于，所述第一液体为有机弱电解质；所述第二液体为强电解质溶液；所述第一液体和所述第二液体互不相溶。

8.权利要求1-7中任一项所述的界面型纳流体忆阻器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底顶部形成纳米沟道；

在所述纳米沟道的底部和侧壁上以及在位于所述纳米沟道一侧或两侧的衬底表面上形成金属层；

在所述金属层上形成二氧化硅层；以及

去除部分二氧化硅层，从而使相对应部分的金属层暴露。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，还包括：利用光刻和刻蚀的结合来形成位于所述纳米沟道两端的第一微米沟道和第二微米沟道。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，还包括：利用光刻和刻蚀的结合来形成分别与第一微米沟道和第二微米沟道连通的第一储液池和第二储液池。