[发明专利]一种闪存块磨损度的评估方法及固态硬盘在审

专利信息
申请号: 202111064333.7 申请日: 2021-09-10
公开(公告)号: CN113793636A 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 方浩俊;黄运新;杨亚飞 申请(专利权)人: 深圳大普微电子科技有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56;G11C29/08
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 陈彦如
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 闪存 磨损 评估 方法 固态 硬盘
【权利要求书】:

1.一种闪存块磨损度的评估方法,其特征在于,包括:

获取闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值;

获取已注入电子的所述闪存块的电子泄漏趋向值;

根据所述闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值,评估所述闪存块的磨损度。

2.如权利要求1所述的闪存块磨损度的评估方法,其特征在于,获取闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值,包括:

获取所述闪存块的擦除次数,并获取所述闪存块在刚注入电子后的初始错误比特评估值;

根据所述擦除次数和所述初始错误比特评估值,确定所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值;其中,所述擦除次数和所述初始错误比特评估值与所述电子泄漏程度值之间呈正相关关系。

3.如权利要求2所述的闪存块磨损度的评估方法,其特征在于,获取所述闪存块在刚注入电子后的初始错误比特评估值,包括:

获取所述闪存块在刚注入电子后的IRBER值或IFBC值,并获取所述闪存块在刚注入电子后的温度值;

根据所述温度值相应对所述IRBER值或IFBC值进行修正,得到所述闪存块在刚注入电子后的IRBER修正值或IFBC修正值,并将所述IRBER修正值或所述IFBC修正值作为所述初始错误比特评估值。

4.如权利要求3所述的闪存块磨损度的评估方法,其特征在于,根据所述擦除次数和所述初始错误比特评估值,确定所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值,包括:

根据LL=EPC*δ*IRBER或LL=EPC*δ*IFBC计算所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值LL;

其中,EPC为所述擦除次数;δ*IRBER为所述IRBER修正值;δ*IFBC为所述IFBC修正值;δ为所述温度值对应的第一温度补偿系数。

5.如权利要求1所述的闪存块磨损度的评估方法,其特征在于,获取已注入电子的所述闪存块的电子泄漏趋向值,包括:

获取已注入电子的所述闪存块在预设时间内的单位错误比特增长评估值,并获取所述闪存块在所述预设时间内的平均温度值;

根据所述平均温度值对所述单位错误比特增长评估值进行修正,得到所述闪存块在所述预设时间内的电子泄漏趋向值。

6.如权利要求5所述的闪存块磨损度的评估方法,其特征在于,获取已注入电子的所述闪存块在预设时间内的单位错误比特增长评估值,包括:

获取已注入电子的所述闪存块在预设时间内的RBER增长量或FBC增长量;

将所述RBER增长量或所述FBC增长量除以所述预设时间,相应得到所述闪存块在单位时间内的RBER增长速率或FBC增长速率,并将所述RBER增长速率或所述FBC增长速率作为所述单位错误比特增长评估值。

7.如权利要求6所述的闪存块磨损度的评估方法,其特征在于,根据所述平均温度值对所述单位错误比特增长评估值进行修正,得到所述闪存块在所述预设时间内的电子泄漏趋向值,包括:

判断所述平均温度值是否大于预设标准温度;

若是,则根据或计算所述闪存块在所述预设时间内的电子泄漏趋向值LT;其中,△t为所述预设时间;△RBER为所述RBER增长量;△FBC为所述FBC增长量;γ为所述平均温度值对应的第二温度补偿系数,γ<1;

若否,则根据或计算所述闪存块在所述预设时间内的电子泄漏趋向值LT。

8.如权利要求6所述的闪存块磨损度的评估方法,其特征在于,所述闪存块磨损度的评估方法还包括:

将所述闪存块对应的预设纠错能力阈值RBER'或FBC'相应减去所述闪存块当前的RBER值或FBC值,得到所述闪存块当前的RBER增长余量或FBC增长余量;

将所述闪存块当前的RBER增长余量或FBC增长余量相应除以所述闪存块当前的RBER增长速率或FBC增长速率,得到所述闪存块当前的数据剩余保持时间。

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