[发明专利]基于共模比较的熔丝读出电路

权利要求书

1.一种熔丝读出电路，其包括：

电流镜，其经配置以从包括待感测熔丝的熔丝门阵列的一部分接收输出，其中所述电流镜包括形成第一节点及第二节点的连接；及

比较器，其经耦合到所述电流镜，其中所述比较器包括耦合到所述第一节点的第一输入及耦合到所述第二节点的第二输入，且其中所述比较器经配置以当选择所述熔丝门阵列的所述部分时生成指示所述熔丝的状态的输出。

2.根据权利要求1所述的熔丝读出电路，其中所述比较器经配置以当选择所述熔丝门阵列的所述部分时且当参考电压被容许传输到所述比较器时生成指示所述熔丝的所述状态的所述输出。

3.根据权利要求1所述的熔丝读出电路，其包括经配置以接收启用信号的逻辑门，其中所述启用信号容许所述逻辑门响应于所述输出而传输额外输出。

4.根据权利要求3所述的熔丝读出电路，其包括额外电流镜及额外比较器，其中所述额外电流镜及所述额外比较器两者生成指示额外熔丝的状态的输出，且其中所述逻辑门的所述额外输出还基于指示来自所述额外比较器的所述额外熔丝的所述状态的所述输出。

5.根据权利要求1所述的熔丝读出电路，其包括预充电装置，其中所述预充电装置将电信号供应到所述电流镜以增加所述第一节点、所述第二节点或两者的电压。

6.根据权利要求5所述的熔丝读出电路，其中在所述熔丝门阵列的所述部分被接通用于感测之前接通所述预充电装置。

7.根据权利要求6所述的熔丝读出电路，其中在所述熔丝门阵列的所述部分被接通用于感测之前关掉所述预充电装置。

8.根据权利要求5所述的熔丝读出电路，其中所述预充电装置被接通的持续时间与相关联于相同感测操作的额外预充电装置不同。

9.一种半导体装置，其包括：

熔丝读出电路，其包括耦合到第一比较器的第一电流镜及耦合到第二比较器的第二电流镜，其中所述第一比较器及所述第二比较器两者将信号输出到逻辑装置的相应输入；及

控制器，其经配置以：

操作所述第一电流镜以接收与第一熔丝相关联的第一电流且操作所述第二电流镜以接收与第二熔丝相关联的第二电流，其中所述第一电流镜将所述第一电流输出到所述第一比较器，且其中所述第二电流镜将所述第二电流输出到所述第二比较器；

启用所述逻辑装置来传输指示来自所述第一比较器的第一输出及来自所述第二比较器的第二输出的信号；且

至少部分地基于从所述逻辑装置传输的所述信号来调整电路的操作。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述控制器经配置以：

接收所述信号；

将所述信号的值与当前性能相关联；

确定所述当前性能与预期性能存在偏差；且

基于所述当前性能与所述预期性能的所述偏差来确定适用于所述操作的调整。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述控制器经配置以：

操作第一预充电装置及第二预充电装置以对所述第一电流镜及所述第二电流镜进行预充电；且

在对所述第一电流镜及所述第二电流镜进行预充电之后，操作所述第一电流镜以接收所述第一电流且操作所述第二电流镜以接收所述第二电流。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述第一预充电装置及所述第二预充电装置各自包括p型晶体管，且其中所述第一预充电装置及所述第二预充电装置经操作以至少部分地通过将第三预充电装置电耦合到接地同时将所述第三预充电装置电耦合到所述第一预充电装置及所述第二预充电装置来对所述第一电流镜及所述第二电流镜进行预充电。