[发明专利]一种Micro-LED芯片的巨量转移方法

说明书

本发明实施例公开了一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法，包括：提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上形成LED芯片阵列；在LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除蓝宝石衬底；拉伸蓝膜以使LED芯片阵列中的芯片间距达到预设距离；通过超分辨率PDMS印章吸附LED芯片阵列的第二表面并去除蓝膜，其中，超分辨率PDMS印章吸附LED芯片阵列的区域包括由多个孔洞组成的孔洞阵列，孔洞的尺寸小于LED芯片阵列的芯片尺寸，孔洞阵列的孔洞密度大于LED芯片阵列的芯片密度；移动超分辨率PDMS印章至驱动基板后剥离超分辨率PDMS印章，以使LED芯片阵列转移至驱动基板。本发明实施例在印章吸附LED芯片时无需对准，即简化了操作，又加快了转移速度，进而提高转移效率和精确性。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种Micro-LED芯片的巨量转移方法。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light-Emitting Diode，Micro-LED)是新一代显示技术，相较于OLED(Organic Light Emitting Display，有机发光二极管)技术，Micro-LED亮度更高、发光效率更好、但功耗更低，因此其市场前景备受看好。

在Micro-LED显示器件制作过程中，需要将大量的Micro-LED芯片从原始衬底转移到驱动电路基板上排列成阵列，这称为Micro LED芯片的巨量转移。印章转移技术是芯片巨量转移技术中的一种，如图1所示，印章1上具有多个用于吸附芯片3的凸起2，在转移时，首先将凸起2与芯片3对准，然后通过凸起2吸附芯片3，移动印章1至驱动基板4上方，使芯片3与驱动基板4对准，最后剥离印章1使芯片3转移至驱动基板4。Micro-LED芯片尺寸非常细小(通常为几十微米)，在对准时稍有偏差就会对最终形成的器件形成产生影响。现有高精度对准设备通常是在晶圆厂使用的，能达到纳米精度，但成本可以说是天价。Micro-LED巨量转移技术加工方通常为封装厂，没有条件采用高价高精度对准设备，因此目前巨量转移中倒装的精度很难达到几微米。同时，通常通过加热或加压方式实现印章剥离，加热加压使印章凸起向外膨胀，这就会导致对准后的芯片与驱动基板之间产生偏差，进而影响器件性能。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种Micro-LED芯片的巨量转移方法，以降低Micro-LED芯片的对对准难度、转移难度，提高转移精度。

本发明实施例提供一种Micro-LED芯片的巨量转移方法，包括：

提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上形成LED芯片阵列；

在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底；

拉伸所述蓝膜以使所述LED芯片阵列中的芯片间距达到预设距离；

通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并去除所述蓝膜，其中，所述超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的区域包括由多个孔洞组成的孔洞阵列，所述孔洞的尺寸小于所述LED芯片阵列的芯片尺寸，所述孔洞阵列的孔洞密度大于所述LED芯片阵列的芯片密度；

移动所述超分辨率PDMS印章至驱动基板后剥离所述超分辨率PDMS印章，以使所述LED芯片阵列转移至所述驱动基板。

进一步的，所述在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底之前，还包括：

在所述LED芯片阵列的第一表面形成完全覆盖所述LED芯片阵列的保护层。

进一步的，所述在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底包括：

在所述保护层上黏附蓝膜并通过激光剥离技术去除所述蓝宝石衬底。

进一步的，所述通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并去除所述蓝膜之前，还包括：