[发明专利]一种Micro-LED芯片的巨量转移方法

权利要求书

1.一种Micro-LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，包括：

提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底上形成LED芯片阵列；

在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底；

拉伸所述蓝膜以使所述LED芯片阵列中的芯片间距达到预设距离；

通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并去除所述蓝膜，其中，所述超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的区域包括由多个孔洞组成的孔洞阵列，所述孔洞的尺寸小于所述LED芯片阵列的芯片尺寸，所述孔洞阵列的孔洞密度大于所述LED芯片阵列的芯片密度；

移动所述超分辨率PDMS印章至驱动基板后剥离所述超分辨率PDMS印章，以使所述LED芯片阵列转移至所述驱动基板。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底之前，还包括：

在所述LED芯片阵列的第一表面形成完全覆盖所述LED芯片阵列的保护层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除所述蓝宝石衬底包括：

在所述保护层上黏附蓝膜并通过激光剥离技术去除所述蓝宝石衬底。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并2去除所述蓝膜之前，还包括：

提供一硅基底，并在所述硅基底上形成由多个柱形结构，其中，所述柱形结构的尺寸等于或小于所述孔洞的尺寸；

将所述硅基底胶粘在玻璃器皿中，并向所述玻璃器皿注入PDMS混合液；

对所述玻璃器皿进行热烘，以使所述PDMS混合液固化形成超分辨率PDMS印章；

剥离所述硅基底，得到超分辨率PDMS印章。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述玻璃器皿注入PDMS混合液之前，还包括：

对所述硅基底表面进行疏水化处理。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述PDMS混合液进行热烘之前，还包括：

将所述玻璃器皿置于真空箱对PDMS混合液进行除泡处理。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述PDMS混合液为固化剂和PDMS溶液的混合液，所述固化剂与所述PDMS溶液的混合比例在0.1～0.2之间。

8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并去除所述蓝膜包括：

通过超分辨率PDMS印章吸附所述LED芯片阵列的第二表面并去除所述蓝膜和所述保护层。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述移动所述超分辨率PDMS印章至驱动基板后剥离所述超分辨率PDMS印章，以使所述LED芯片阵列转移至所述驱动基板包括：

通过转移头吸附所述超分辨率PDMS印章未吸附所述LED芯片阵列的一面将其移动至驱动基板上方，并使所述LED芯片阵列与所述驱动基板对齐；

通过激光照射所述超分辨率PDMS印章，使所述LED芯片阵列从所述超分辨率PDMS印章剥离而转移至所述驱动基板。

10.如权利要求1-9任一项所述的方法，其特征在于，所述孔洞阵列的孔洞密度为所述LED芯片阵列的芯片密度的5倍。