[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置在审
| 申请号: | 202111050588.8 | 申请日: | 2021-09-08 |
| 公开(公告)号: | CN113745445A | 公开(公告)日: | 2021-12-03 |
| 发明(设计)人: | 杨静 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及显示基板及其制作方法、显示装置,用于减少制作工序,简化制作工艺流程,降低工艺复杂程度,以及确保表面纳米柱的良好形貌。显示基板的制作方法包括:提供掩膜板;掩膜板一侧设置有多个凹槽;提供衬底;在衬底的一侧形成压印胶层;采用掩膜板对压印胶层进行压印,形成多个柱状结构;对压印后的压印胶层进行固化;在多个柱状结构的表面及多个柱状结构之间的间隙形成第一金属纳米层;在第一金属纳米层远离衬底的一侧形成多个发光器件;发光器件包括阳极;第一金属纳米层和多个柱状结构被配置为,和阳极相配合,对发光层发出的光进行处理,使得发光器件发出单色光。显示基板及其制作方法、显示装置用于图像显示。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
由于OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光二极管)具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高等优点,逐渐应用于显示装置中。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供显示基板及其制作方法、显示装置,用于减少制作工序,简化制作工艺流程,降低制作的工艺复杂程度,以及确保表面纳米柱的良好形貌,避免转移过程中表面纳米柱的精确度损失的现象,以及潜在的转移过程中不良的产生。
为达到上述目的,本发明实施例提供了如下技术方案:
本发明实施例提供了显示基板制作方法,所述制作方法包括:提供掩膜板;所述掩膜板一侧具有间隔设置的多个凹槽;提供衬底;在所述衬底的一侧形成压印胶层;采用所述掩膜板对所述压印胶层进行压印,形成与所述多个凹槽相对应的多个柱状结构;对压印后的压印胶层进行固化;在所述多个柱状结构的表面及所述多个柱状结构之间的间隙形成第一金属纳米层;在所述第一金属纳米层远离所述衬底的一侧形成多个发光器件;发光器件包括依次层叠的阳极、发光层和阴极;所述第一金属纳米层和所述多个柱状结构被配置为,和所述阳极相配合,对所述发光层发出的光进行处理,使得所述发光器件发出单色光。
本发明的一些实施例所提供的显示基板的制作方法,通过在衬底一侧形成积压印胶层,使用掩模板对压印胶层进行压印,形成柱状结构,然后以柱状结构为基础,在柱状结构的表面及间隙形成与柱状结构的形貌相对应的第一金属纳米层,便可以得到符合预设参数要求的表面纳米柱。在上述制作方法中,仅需要采用一次压印工艺,且无需对表面纳米柱进行转移,即可以在表面纳米柱远离衬底的一侧形成发光器件。相比于相关技术,可以避免使用第一转印板和第二转印板,省略第一转印板和第二转印板的图案转印过程,并省略金属纳米柱转移至基板、并将金属纳米柱和紫外光固化胶剥离的过程,这样不仅减少了制作工序,简化了制作工艺流程,降低了制作的工艺复杂程度,还可以确保表面纳米柱的良好形貌,避免了转移过程中表面纳米柱的精确度的损失的现象,以及潜在的转移过程中不良的产生。而且,本发明中所形成的具有超表面结构的表面纳米柱,包括内部为压印胶的柱状结构及覆盖在其表面的第一金属纳米层的部分,而相关技术中制作形成的具有超表面结构的金属纳米柱整体全部为金属纳米材料。与相关技术相比,本发明节约了金属纳米材料的使用量。此外,通过调节掩模板的凹槽的参数信息,可以调节压印后的压印胶层的形貌,从而精确地控制形成的柱状结构的形貌,进而调节位于柱状结构表面的第一金属纳米层的形貌,从而制作出具有超表面结构的表面纳米柱,有利于节约制作成本,提高显示基板的良率。
在一些实施例中,所述压印胶层的材料包括无溶剂胶。
在一些实施例中,所述压印胶层的材料包括醋酸乙烯共聚物热熔胶。
在一些实施例中,在形成与所述多个凹槽相对应的多个柱状结构之后,所述多个柱状结构和所述衬底之间具有压印胶残留。所述制作方法还包括:在所述对压印后的压印胶层进行固化之后,进行灰化处理,暴露所述衬底的部分。
在一些实施例中,所述制作方法还包括:所述在所述衬底的一侧形成压印胶层之前,在所述衬底的一侧形成第二金属纳米层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





