[发明专利]基底处理方法

说明书

本发明公开一种基底处理方法，包括下列步骤。提供一静电吸盘(electrostatic chuck，ESC)结构，并将一第一基底放置在静电吸盘结构上。对静电吸盘结构进行一清理制作工艺，用以移除静电吸盘结构上的堆积物。在清理制作工艺中，第一基底在一垂直方向上覆盖静电吸盘结构的上表面。

技术领域

本发明涉及一种基底处理方法，尤其是涉及一种包括清理制成的基底处理方法。

背景技术

在半导体相关制作工艺中，例如基于等离子体或/及基于真空的相关制作工艺中，一般可利用静电吸盘(electrostatic chuck，ESC)或/及相似的装置在制作工艺期间达到承载晶片或/及固定晶片位置的效果。静电吸盘可利用在晶片与电极之间施加适当的电压，进而通过静电力而将晶片夹持在静电吸盘的表面上。在一般对静电吸盘清理步骤中，静电吸盘的表面会被暴露在清理环境中而易受到影响，故可能造成静电吸盘的夹持能力退化、使用寿命缩短甚至影响到晶片的制作工艺状况与制作工艺良率。

发明内容

本发明提供了一种基底处理方法，利用基底在对静电吸盘结构进行清理时覆盖静电吸盘结构的上表面，避免静电吸盘结构的上表面暴露在清理制作工艺中而受到负面影响。

本发明的一实施例提供一种基底处理方法，包括下列步骤。提供一静电吸盘(electrostatic chuck，ESC)结构。将一第一基底放置在静电吸盘结构上。对静电吸盘结构进行一清理制作工艺，用以移除静电吸盘结构上的堆积物。在清理制作工艺中，第一基底在一垂直方向上覆盖静电吸盘结构的上表面。

附图说明

图1至图3为本发明一实施例的基底处理方法的示意图，其中图2为图1之后的状况示意图，而图3为图2之后的状况示意图；

图4为本发明另一实施例的基底处理方法的清理制作工艺的示意图；

图5为本发明又一实施例的基底处理方法的清理制作工艺的示意图。

主要元件符号说明

10 静电吸盘结构

20 堆积物

30 电极

40 电极

91 主制作工艺

92 清理制作工艺

92P 等离子体

CW 第一基底

P1 第一部分

P2 第二部分

PC 制作工艺腔室

SW 侧壁

TS1 上表面

TS2 上表面

W 第二基底

Z 垂直方向

具体实施方式

以下本发明的详细描述已披露足够的细节以使本领域的技术人员能够实践本发明。以下阐述的实施例应被认为是说明性的而非限制性的。对于本领域的一般技术人员而言显而易见的是，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以进行形式及细节上的各种改变与修改。

在进一步的描述各实施例之前，以下先针对全文中使用的特定用语进行说明。