[发明专利]基底处理方法

权利要求书

1.一种基底处理方法，包括：

提供静电吸盘结构；

将第一基底放置在该静电吸盘结构上；以及

对该静电吸盘结构进行清理制作工艺，用以移除该静电吸盘结构上的堆积物，其中在该清理制作工艺中，该第一基底在垂直方向上覆盖该静电吸盘结构的上表面。

2.如权利要求1所述的基底处理方法，其中该静电吸盘结构的该上表面在该清理制作工艺中被该第一基底完全覆盖。

3.如权利要求1所述的基底处理方法，其中在该清理制作工艺中，该第一基底直接接触该静电吸盘结构的该上表面。

4.如权利要求1所述的基底处理方法，其中该第一基底在该垂直方向上的投影面积与该静电吸盘结构的该上表面在该垂直方向上的投影面积相同。

5.如权利要求1所述的基底处理方法，其中该第一基底在该垂直方向上的投影面积大于或等于该静电吸盘结构的该上表面在该垂直方向上的投影面积且小于或等于该静电吸盘结构的该上表面在该垂直方向上的该投影面积的1.05倍。

6.如权利要求1所述的基底处理方法，其中该清理制作工艺包括对该静电吸盘结构进行的等离子体处理。

7.如权利要求1所述的基底处理方法，其中该第一基底包括硅晶片。

8.如权利要求1所述的基底处理方法，其中在该清理制作工艺之后，该第一基底自该静电吸盘结构上移除。

9.如权利要求1所述的基底处理方法，还包括

将第二基底放置在该静电吸盘结构上；以及

对该第二基底进行主制作工艺，其中该第二基底在该垂直方向上的投影面积大于该第一基底在该垂直方向上的投影面积。

10.如权利要求9所述的基底处理方法，其中该主制作工艺包括蚀刻制作工艺、膜沉积制作工艺或注入制作工艺。

11.如权利要求9所述的基底处理方法，其中该主制作工艺与该清理制作工艺是在同一个制作工艺腔室中进行。

12.如权利要求9所述的基底处理方法，其中该主制作工艺是在将该第一基底放置在该静电吸盘结构上之前进行，该第二基底是在将该第一基底放置在该静电吸盘结构上之前自该静电吸盘结构上移除，且该堆积物是由该主制作工艺产生。

13.如权利要求9所述的基底处理方法，其中该主制作工艺是在该清理制作工艺之后进行，且该第一基底是在该清理制作工艺之后以及将该第二基底放置在该静电吸盘结构上之前自该静电吸盘结构上移除。

14.如权利要求9所述的基底处理方法，其中该第一基底的材料组成与该第二基底的材料组成相同。

15.如权利要求1所述的基底处理方法，其中该堆积物包括聚合物材料。

16.如权利要求1所述的基底处理方法，其中该堆积物位于该静电吸盘结构的侧壁上。