[发明专利]具温度补偿的电源启动电路在审

专利信息
申请号: 202111047999.1 申请日: 2021-09-08
公开(公告)号: CN113485513A 公开(公告)日: 2021-10-08
发明(设计)人: 蔡水河;林柏成 申请(专利权)人: 常州欣盛半导体技术股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 代理人: 朱丽莎
地址: 213000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 温度 补偿 电源 启动 电路
【说明书】:

发明公开了一种具温度补偿的电源启动电路,包含一第一电流源、一电流放大器以及一温度补偿电路。该第一电流源耦接于一第一系统电压,用于根据一内部操作电压,产生一内部操作电流。该电流放大器耦接于该第一电流源和该第一系统电压,用于根据该内部操作电流和一参数,产生一放大电流和对应于该放大电流的一参考电压;其中该内部操作电压和该参考电压具有正温度系数,且该内部操作电流和该放大电流具有负温度系数。该温度补偿电路耦接于该电流放大器,用于根据该参考电压,产生具温度补偿的一输出电压。利用本发明,能够产生稳定的输出电压,进而确保后续电路能够正常操作。

技术领域

本发明涉及电源启动电路技术领域,尤其涉及一种具温度补偿的电源启动电路。

背景技术

传统的电源启动电路可由多个金属氧化物半导体场效电晶体(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,以下简称MOSFET)所组成,其中MOSFET的电阻值具有负温度系数(Negative Temperature Coefficient,NTC)。当操作温度上升时,会使得MOSFET的载子浓度上升而提高导电率;意即MOSFET的导电率在高温时上升,使得MOSFET的电阻值下降,故MOSFET的电阻值具有负温度系数。因此,传统的电源启动电路产生的输出电压也具有负温度系数。在实际应用中,当操作温度上升时,MOSFET的电阻值和临界电压(Threshold Voltage,Vth)下降,造成传统的电源启动电路的操作也随之变动,进而改变输出电压的大小。在某些情况下,由于电源启动电路产生的输出电压随着温度变动,将会导致后续电路无法正常操作。

发明内容

本发明要解决的技术问题是:为了解决现有技术中的电源启动电路的输出电压受温度影响较大,导致后续电路无法正常工作的技术问题。本发明提供一种具温度补偿的电源启动电路,能够稳定输出电压,进而确保后续电路能够正常工作。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种电源启动电路,包含:一第一电流源,耦接于一第一系统电压,用于根据一内部操作电压,产生一内部操作电流;一电流放大器,耦接于所述第一电流源和所述第一系统电压,用于根据所述内部操作电流和一参数,产生一放大电流和对应于所述放大电流的一参考电压;其中所述内部操作电压和所述参考电压具有正温度系数,且所述内部操作电流和所述放大电流具有负温度系数;以及一温度补偿电路,耦接于所述电流放大器,用于根据所述参考电压,产生具温度补偿的一输出电压。

进一步地,所述第一电流源包含:一第一电晶体,包含一第一端,耦接于所述第一系统电压;一第二端,耦接于一第一节点;以及一控制端,耦接于一第二节点;一第二电晶体,包含一第一端,耦接于所述第一节点;一第二端,耦接于一第二系统电压;以及一控制端,耦接于所述第一节点;一第三电晶体,包含一第一端,耦接于所述第一系统电压;一第二端,耦接于所述第二节点;以及一控制端,耦接于所述第二节点;一第四电晶体,包含一第一端,耦接于所述第二节点;一第二端;以及一控制端,耦接于所述第一节点;以及一第一电阻,包含一第一端,耦接于所述第四电晶体的所述第二端;以及一第二端,耦接于所述第二系统电压;其中,所述内部操作电压为所述第一电阻的所述第一端和所述第四电晶体的所述第二端的电压,且所述内部操作电流为流经所述第一电阻的电流。

进一步地,所述电流放大器包含: 一第五电晶体,包含一第一端,耦接于所述第一系统电压;一第二端,耦接于一参考电压;以及一控制端,耦接于所述第二节点;以及一第二电阻,包含一第一端,耦接于所述参考电压;以及一第二端,耦接于所述第二系统电压;其中,所述放大电流为流经所述第二电阻的电流。

进一步地,所述第三电晶体与所述第五电晶体之间的纵横比为1:k,且k是所述参数。

进一步地,所述参考电压是以如下方程式表示:

;其中,VREF是所述参考电压,k是所述参数,I是所述内部操作电流,m*R是所述第二电阻的电阻值,VI是所述内部操作电压,且n*R是所述第一电阻的电阻值。

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