[发明专利]多层结构屏幕的异物缺陷区分方法、电子设备及存储介质有效

专利信息
申请号: 202111047559.6 申请日: 2021-09-08
公开(公告)号: CN113484333B 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 苏州高视半导体技术有限公司
主分类号: G01N21/95 分类号: G01N21/95;G01N21/94;G06T7/00;G06T7/13
代理公司: 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 代理人: 陈文福
地址: 215163 江苏省苏州市高新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 多层 结构 屏幕 异物 缺陷 区分 方法 电子设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种多层结构屏幕的异物缺陷区分方法,其特征在于,包括:

将待测的多层结构屏幕的显示画面切换为白色画面;

在M个方向的表面光源的切换照射下对所述多层结构屏幕进行拍摄,使得待测缺陷在所述白色画面中产生阴影,得到M个目标检测图像;所述M为大于2的整数;

分别根据所述M个目标检测图像获取所述待测缺陷的缺陷主体轮廓以及缺陷阴影轮廓,对各个目标检测图像中的各个待测缺陷都分别获取各个待测缺陷对应的缺陷主体轮廓以及缺陷阴影轮廓;

根据所述缺陷主体轮廓确定第一灰度直方图,并根据所述缺陷阴影轮廓确定第二灰度直方图;

根据所述第一灰度直方图以及所述第二灰度直方图确定所述缺陷主体轮廓与所述缺陷阴影轮廓之间的推土距离EMD;

将所述EMD与预设阈值对比,根据对比结果确定所述待测缺陷的缺陷类型,所述缺陷类型包括内部异物缺陷和表面灰尘缺陷;

所述预设阈值包括距离阈值以及输出值阈值;

所述将所述EMD与预设阈值对比,根据对比结果确定所述待测缺陷的缺陷类型,包括:

将所述M个目标检测图像中所述待测缺陷对应的各个EMD分别与所述距离阈值对比,若各个EMD均大于所述距离阈值,则确定所述缺陷类型为所述表面灰尘缺陷;若各个EMD均小于所述距离阈值,则确定所述缺陷类型为所述内部异物缺陷;

若所述距离阈值处于所述待测缺陷对应的各个EMD的最大值与最小值之间,则通过增强学习处理对所述缺陷类型进行确定;

所述增强学习处理包括:

根据所述M个目标检测图像中所述待测缺陷对应的各个EMD分别与所述距离阈值的对比结果获取M个输出值;

若当前EMD大于所述距离阈值,则当前输出值为a,所述a大于或等于1;

若当前EMD小于所述距离阈值,则当前输出值为b,所述b小于1;

将所述M个输出值进行求和,得到目标输出值;

将所述目标输出值与所述输出值阈值对比。

2.根据权利要求1所述的多层结构屏幕的异物缺陷区分方法,其特征在于,

所述根据所述第一灰度直方图以及所述第二灰度直方图确定所述缺陷主体轮廓与所述缺陷阴影轮廓之间的推土距离EMD,包括:

根据所述第一灰度直方图以及所述第二灰度直方图确定距离描述矩阵;

根据所述距离描述矩阵确定EMD表达式;

根据所述EMD表达式以及预设限制条件通过线性规划方法确定所述EMD,所述EMD为所述EMD表达式在所述预设限制条件下的极小值。

3.根据权利要求1所述的多层结构屏幕的异物缺陷区分方法,其特征在于,

所述通过增强学习处理对所述缺陷类型进行确定,包括:

若所述目标输出值大于所述输出值阈值,则确定所述缺陷类型为所述表面灰尘缺陷;

若所述目标输出值小于所述输出值阈值,则确定所述缺陷类型为所述内部异物缺陷。

4.根据权利要求1所述的多层结构屏幕的异物缺陷区分方法,其特征在于,

所述根据所述缺陷主体轮廓确定第一灰度直方图,并根据所述缺陷阴影轮廓确定第二灰度直方图,包括:

分别获取所述缺陷主体轮廓的第一灰度级数量以及所述缺陷阴影轮廓的第二灰度级数量;

在所述缺陷主体轮廓中确定所述第一灰度级数量中各级灰度级对应的第一像素数量;

根据所述第一灰度级数量以及各级灰度级对应的第一像素数量形成所述第一灰度直方图;

在所述缺陷阴影轮廓中确定所述第二灰度级数量中各级灰度级对应的第二像素数量;

根据所述第二灰度级数量以及各级灰度级对应的第二像素数量形成所述第二灰度直方图。

5.根据权利要求1所述的多层结构屏幕的异物缺陷区分方法,其特征在于,

所述分别根据所述M个目标检测图像获取待测缺陷的缺陷主体轮廓以及缺陷阴影轮廓,包括:

通过阈值分割算法分别在所述M个目标检测图像中获取所述缺陷主体轮廓以及所述缺陷阴影轮廓。

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