[发明专利]一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版及其生产方法

说明书

本发明公开了一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版，该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版从上至下依次包括铬氮氧化物低反射膜层、铬氮化物遮光膜层、铬氮氧化物防凹陷膜层以及玻璃基片。该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的生产方法主要为提供一个Cr靶材，通过通入气体以形成所需的膜层，经过实际检测可得出：使得该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版具有高精度的光学物性，且该高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的靶向及行车方向均达到高均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体及液晶面板的技术领域，具体涉及一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版及其生产方法。

背景技术

随着社会的迅速发展，越来越多的产品被相继研发生产出来以满足日益增长的各需求。

在半导体芯片以及液晶显示面板行业中均需要用到光掩膜基版，而在次微米晶圆封装所使用的光掩膜版，需要具备以下条件：(1)上游的光掩膜基版的铬膜及光刻胶亦需达到高均匀性，才能制作出高精度图案尺寸；(2)制作完成的光掩膜版亦需有高精度光学物性，在使用的晶圆封装的精缩图形转换时，才能达到所需的精度要求。

因此，亟需一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版及其生产方法来解决上述问题。

发明内容

本项发明是针对现在的技术不足，提供一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版。

本发明为实现上述目的所采用的技术方案是：

一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版，所述高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版从上至下依次包括铬氮氧化物低反射膜层、铬氮化物遮光膜层、铬氮氧化物防凹陷膜层以及玻璃基片。

作进一步改进，所述铬氮氧化物低反射膜层的厚度为所述铬氮化物遮光膜层的厚度为所述铬氮氧化物防凹陷膜层的厚度为

作进一步改进，所述高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的正面反射率FR％为10％±1％，底部波长为420-460nm，背面反射率为BR％大于45％，光学密度在450nm处为3.20±0.10。

作进一步改进，所述玻璃基片的30μm以下的气泡或杂质的个数至多为1个，所述玻璃基片的10μm以下的气泡或杂质的个数至多为3个，所述玻璃基片的正面的10μm以下的凹坑的个数至多为1个，所述玻璃基片的反面的30μm以下的凹坑的个数至多为1个，所述玻璃基片的反面的10μm以下的凹坑的个数至多为2个，所述玻璃基片的边角棱破损的面积小于1mm，所述玻璃基片的正面的伤痕小于1μm*5mm，所述玻璃基片的反面的伤痕小于3μm*15mm，所述玻璃基片的表面上的直径在5-30μm的颗粒密度小于0.01个每平方厘米，所述玻璃基片与纯水的接触角θ小于或者等于5度。

作进一步改进，所述铬氮氧化物低反射膜层中：铬的质量百分比含量为65-90％，氮的质量百分比含量为9-32％，氧的质量百分比含量为1-3％；所述铬氮化物遮光膜层中：铬的质量百分比含量为70-95％，氮的质量百分比含量为5-30％；所述铬氮氧化物防凹陷膜层中：铬的质量百分比含量为65-90％，氮的质量百分比含量为7-25％，氧的质量百分比含量为3-10％。

作进一步改进，所述铬氮氧化物低反射膜层的上方还设置有光刻胶层，所述光刻胶层的厚度为所述光刻胶层的无效边为10mm。