[发明专利]一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版及其生产方法

权利要求书

1.一种高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版，其特征在于：所述高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版从上至下依次包括铬氮氧化物低反射膜层、铬氮化物遮光膜层、铬氮氧化物防凹陷膜层以及玻璃基片。

2.根据权利要求1所述的高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版，其特征在于：所述铬氮氧化物低反射膜层的厚度为所述铬氮化物遮光膜层的厚度为所述铬氮氧化物防凹陷膜层的厚度为

3.根据权利要求1所述的高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版，其特征在于：所述高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的正面反射率FR％为10％±1％，底部波长为420-460nm，背面反射率为BR％大于45％，光学密度在450nm处为3.20±0.10。

4.根据权利要求1所述的高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版，其特征在于：所述玻璃基片的30μm以下的气泡或杂质的个数至多为1个，所述玻璃基片的10μm以下的气泡或杂质的个数至多为3个，所述玻璃基片的正面的10μm以下的凹坑的个数至多为1个，所述玻璃基片的反面的30μm以下的凹坑的个数至多为1个，所述玻璃基片的反面的10μm以下的凹坑的个数至多为2个，所述玻璃基片的边角棱破损的面积小于1mm，所述玻璃基片的正面的伤痕小于1μm*5mm，所述玻璃基片的反面的伤痕小于3μm*15mm，所述玻璃基片的表面上的直径在5-30μm的颗粒密度小于0.01个每平方厘米，所述玻璃基片与纯水的接触角θ小于或者等于5度。

5.根据权利要求2所述的高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版，其特征在于：

所述铬氮氧化物低反射膜层中：铬的质量百分比含量为65-90％，氮的质量百分比含量为9-32％，氧的质量百分比含量为1-3％；

所述铬氮化物遮光膜层中：铬的质量百分比含量为70-95％，氮的质量百分比含量为5-30％；

所述铬氮氧化物防凹陷膜层中：铬的质量百分比含量为65-90％，氮的质量百分比含量为7-25％，氧的质量百分比含量为3-10％。

6.根据权利要求1所述的高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版，其特征在于：所述铬氮氧化物低反射膜层的上方还设置有光刻胶层，所述光刻胶层的厚度为所述光刻胶层的无效边为10mm。

7.根据权利要求1-6任一项所述的高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的生产方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1：提供一个Cr靶材，采用密闭往复式镀膜技术，在真空度低于2.5E-3Pa的条件下，通入N₂：O₂的比例为3:1-4:1的气体，控制压力为0.3-0.4Pa，功率为5-8kw，在温度为80-200度的所述玻璃基片上形成所述铬氮氧化物防凹陷膜层；

S2：提供一个Cr靶材，采用密闭往复式镀膜技术，在真空度低于2.5E-3Pa的条件下，通入Ar：N₂的比例为9:1-10:1的气体，控制压力为：0.2-0.3pa，功率为5-8kw，在所述铬氮氧化物防凹陷膜层上形成所述铬氮化物遮光膜层；

S3：提供一个Cr靶材，采用密闭往复式镀膜技术，在真空度低于2.5E-3Pa的条件下，通入N₂：O₂的比例为13:1-14:1的气体，控制压力为：0.3-0.4pa，功率为5-8kw，在所述铬氮氧化物遮光膜层上形成所述铬氮氧化物低反射膜层。

8.根据权利要求7所述的高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的生产方法，其特征在于：在所述步骤S3之后，还包括以下步骤：

S4：在真空的环境下，采用高速旋涂和急速起停技术，在所述铬氮氧化物低反射膜层的上方涂布后并形成有厚度为的光刻胶层。

9.根据权利要求8所述的高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的生产方法，其特征在于：所述光刻胶层采用的材料为AZ-1500光刻胶。

10.根据权利要求7所述的高精密次微米晶圆封装级光掩膜基版的生产方法，其特征在于：在所述步骤S1之前，还包括以下步骤：

S0：采用纯水对所述玻璃基片进行DIP清洗，所述清洗时间为90-110min，然后在55-65℃的纯水中以1-3mm/s的速度提拉并烘干所选玻璃基片。