[发明专利]非易失性存储器件、非易失性存储系统及其制造方法

说明书

一种非易失性存储器件，包括：沿第一方向依次堆叠的第一下层间绝缘层和第二下层间绝缘层；下金属层，设置在所述第一下层间绝缘层中；以及多个下结合金属，设置在所述第一下层间绝缘层和所述第二下层间绝缘层中并且沿与所述第一方向相交的第二方向彼此间隔开。所述下金属层的在所述第一方向上的最上方表面低于所述多个下结合金属的在所述第一方向上的最上方表面，并且所述下金属层置于所述多个下结合金属之间。

相关申请的交叉引用

本申请根据要求于2020年9月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0125996的优先权，其内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开的实施例针对非易失性存储器件、包括非易失性存储器件的系统、以及用于制造非易失性存储器件的方法。

背景技术

需要一种能够在需要数据存储的电子系统中存储大容量的数据的非易失性存储器件。因此，正在研究提高非易失性存储器件的数据存储容量的方法。例如，用于提高非易失性存储器件的数据存储容量的一种方法使用三维布置而不是二维布置的存储单元。

另一示例是将包括三维布置的存储单元的单元区域的最上端与包括驱动该存储单元的外围电路元件的外围电路区域的最上端相结合的非易失性存储器件。

然而，当将单元区域的最上端与外围电路区域的最上端结合时，例如，出现带有结合可靠性变差因素的问题，诸如凹陷现象。

发明内容

本公开的实施例提供了一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件减小了单元区域或外围电路区域的尺寸并减少了工艺单位成本，同时保持了单元区域的最上端和外围电路区域的最上端之间的结合可靠性。

本公开的实施例还提供了一种非易失性存储系统，所述非易失性存储系统包括非易失性存储器件，所述非易失性存储器件减小了单元区域或外围电路区域的尺寸并减少了工艺单位成本，同时保持了单元区域的最上端和外围电路区域的最上端之间的结合可靠性。

本公开的实施例提供了一种用于制造非易失性存储器件的方法，所述非易失性存储器件减小了单元区域和/或外围电路区域的尺寸并减少了工艺单位成本，同时保持了单元区域的最上端和外围电路区域的最上端之间的结合可靠性。

根据本发明构思的一个实施例，提供了一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：沿第一方向依次堆叠的第一下层间绝缘层和第二下层间绝缘层；设置在所述第一下层间绝缘层中的下金属层；以及多个下结合金属，设置在所述第一下层间绝缘层和所述第二下层间绝缘层中并沿与所述第一方向相交的第二方向彼此间隔开。所述下金属层的在所述第一方向上的最上方表面低于所述多个下结合金属的在所述第一方向上的最上方表面，并且所述下金属层置于所述多个下结合金属之间。

根据本发明构思的另一个实施例，提供了一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：第衬底；多个金属线，沿第一方向在所述第一衬底上堆叠；沟道结构，穿透所述多个金属线；多个上金属层，与所述多个金属线和所述沟道结构电连接；多个上结合金属，与所述多个上金属层中的一个或多个电连接；第一下层间绝缘层和第二下层间绝缘层，依次堆叠在所述上结合金属上；多个下结合金属，与所述上结合金属电连接并设置在所述第一下层间绝缘层和所述第二下层间绝缘层中；以及下金属层，设置在与外围电路元件电连接的所述多个下结合金属之间，并设置在所述第二下层间绝缘层中。所述下金属层在所述第一方向上的最上方表面低于所述多个下结合金属和所述多个上结合金属相接的地方的高度。