[发明专利]非易失性存储器件、非易失性存储系统及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

第一下层间绝缘层和第二下层间绝缘层，所述第一下层间绝缘层和所述第二下层间绝缘层在第一方向上依次堆叠；

下金属层，所述下金属层设置在所述第一下层间绝缘层中；以及

多个下结合金属，所述多个下结合金属设置在所述第一下层间绝缘层和所述第二下层间绝缘层中并且在与所述第一方向相交的第二方向上彼此间隔开，

其中，所述下金属层在所述第一方向上的最上方表面低于所述多个下结合金属在所述第一方向上的最上方表面，并且

所述下金属层设置在所述多个下结合金属之间。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，两个或更多个下金属层设置在所述多个下结合金属之间。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

与所述下金属层电连接的外围电路元件。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，其中，所述外围电路元件包括页缓冲器电路。

5.根据权利要求3所述的非易失性存储器件，还包括：

与所述下金属层电连接的输入/输出接触塞；以及

与所述输入/输出接触塞电连接的输入/输出焊盘，

其中，所述输入/输出焊盘与所述外围电路元件电连接。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

与所述下金属层电连接的多个电路元件。

7.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，还包括：

多个上结合金属，所述多个上结合金属设置在所述多个下结合金属上并且与所述多个下结合金属的最上方表面接触；以及

上金属层，所述上金属层设置在所述多个上结合金属之间，

其中，所述上金属层的最上部位于与所述多个上结合金属的最上部相同的高度处，并且

所述上金属层的最下部的高度高于所述多个上结合金属的最下部的高度。

8.根据权利要求7所述的非易失性存储器件，还包括：

第一上层间绝缘层和第二上层间绝缘层，所述第一上层间绝缘层和所述第二上层间绝缘层依次堆叠在所述多个下结合金属上，

其中，所述第一上层间绝缘层和所述第二上层间绝缘层包围所述上结合金属，并且

所述第二上层间绝缘层包围所述上金属层。

9.一种非易失性存储器件，包括：

第一衬底；

多个金属线，所述多个金属线在第一方向上堆叠在所述第一衬底上；

沟道结构，所述沟道结构穿透所述多个金属线；

多个上金属层，所述多个上金属层与所述多个金属线和所述沟道结构电连接；

多个上结合金属，所述多个上结合金属与所述多个上金属层中的一个或多个电连接；

第一下层间绝缘层和第二下层间绝缘层，所述第一下层间绝缘层和所述第二下层间绝缘层依次堆叠在所述上结合金属上；

多个下结合金属，所述多个下结合金属与所述上结合金属电连接并且设置在所述第一下层间绝缘层和所述第二下层间绝缘层中；以及

下金属层，所述下金属层设置在所述多个下结合金属之间，与外围电路元件电连接，并且设置在所述第二下层间绝缘层中，

其中，所述下金属层在所述第一方向上的最上方表面低于所述多个下结合金属和所述多个上结合金属相接之处的高度。

10.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，两个或更多个下金属层设置在所述多个下结合金属之间。

11.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，还包括：

与所述下金属层电连接的输入/输出接触塞；以及

与所述输入/输出接触塞电连接的输入/输出焊盘，

其中，所述输入/输出焊盘与所述外围电路元件电连接。