[发明专利]一种晶圆激光隐切装置在审

专利信息
申请号: 202111028406.7 申请日: 2021-09-02
公开(公告)号: CN113510392A 公开(公告)日: 2021-10-19
发明(设计)人: 蔡正道;巩铁建;鲍占林;陶为银 申请(专利权)人: 河南通用智能装备有限公司
主分类号: B23K26/38 分类号: B23K26/38;B23K26/402;B23K26/08;B23K26/04
代理公司: 郑州银河专利代理有限公司 41158 代理人: 安申涛
地址: 450000 河南省郑州市高新技术产业*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 激光 装置
【说明书】:

发明提供一种晶圆激光隐切装置,包括大理石机台、线性导轨X轴、气浮导轨Y轴、DD马达驱动旋转W轴、线性导轨Z轴、陶瓷放置台、激光器、激光调光光路和激光聚焦光路;线性导轨X轴固定在所述大理石机台上,DD马达驱动旋转W轴安装在气浮导轨Y轴的活动座上,陶瓷放置台安装在所述DD马达驱动旋转W轴上,陶瓷放置台能够随线性导轨X轴、气浮导轨Y轴、DD马达驱动旋转W轴在平面内进行移动和旋转,激光器安装在大理石机台的上方,激光调节光路的入光口与激光器的出光口通轴心并固定在所述大理石机台的上方。通过本发明所述的晶圆激光隐切装置,不仅能够对晶圆进行切割,而且还具备切割效率高、切割精度高的特点。

技术领域

本发明涉及晶圆切割技术领域,具体涉及一种晶圆激光隐切装置。

背景技术

目前在进行硅晶圆加工制备作业中,所采用的传统加工工艺往往是通过激光或金刚石刀轮首先对晶棒进行裁切,然后通过金刚石刀轮对切割后的晶圆毛坯件进行研磨,从而得到成品硅晶圆产品。

虽然传统的加工工艺可以满足使用的需要,但一方面导致硅晶圆加工中物料损耗严重,且加工工艺复杂,加工效率低下;另一方面直接通过金刚石刀轮在对硅晶圆加工中,直接与晶棒及晶圆毛坯件表面接触,从而导致硅晶圆微裂纹及崩边现象严重,同时由于刀轮的V型或者U型结构,由于刀轮自身结构限制而无法切割20微米以下的超窄切割道的硅片,从而严重限制了硅晶圆切割加工作业的精度,难以有效满足使用的需要。

因此针对这一现状,需要开发一种全新的以克服传统工艺及设备在进行硅晶圆切割中的缺陷,提高硅晶圆加工作业的工作效率和精度。

发明内容

有鉴于此,本发明针对现有技术的不足,提供一种晶圆激光隐切装置,不仅能够对晶圆进行切割,而且还具备切割效率高、切割精度高的特点。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种晶圆激光隐切装置,包括大理石机台、线性导轨X轴、气浮导轨Y轴、DD马达驱动旋转W轴、线性导轨Z轴、陶瓷放置台、激光器、激光调光光路和激光聚焦光路;

所述线性导轨X轴固定在所述大理石机台上,所述气浮导轨Y轴设置在两条所述的线性导轨X轴的两端,所述DD马达驱动旋转W轴安装在所述气浮导轨Y轴的活动座上,所述陶瓷放置台安装在所述DD马达驱动旋转W轴上,所述陶瓷放置台能够随线性导轨X轴、气浮导轨Y轴、DD马达驱动旋转W轴在平面内进行移动和旋转;

所述激光器安装在所述大理石机台的上方,所述激光调节光路的入光口与所述激光器的出光口通轴心并固定在所述大理石机台的上方,所述激光调节光路用于将水平光转换为垂直光,所述激光聚焦光路安装在所述线性导轨Z轴的活动座位置,所述激光聚焦光路能够根据需要进行上下移动,所述线性导轨Z轴固定在所述大理石机台的端面。

进一步的,所述晶圆吸附在所述陶瓷放置台上,且能够随线性导轨X轴、气浮导轨Y轴、DD马达驱动旋转W轴在工作区间内任意位置进行移动和旋转,所述激光器发射的激光经所述激光调光光路调节成需要的形状并转换为垂直光,之后进入所述激光聚焦光路,所述激光器发射的激光的焦点能够随线性导轨Z轴升高或降低。

进一步的,所述激光器发射的激光经所述激光调光光路、所述激光聚焦光路、线性导轨Z轴的调节后,聚焦至晶圆内部从而对晶圆进行切割。

进一步的,所述大理石机台配合直线电机和DD马达完成切割动作。

进一步的,所述大理石机台包括基座、设置底座上的两个支撑腿和设置在两个支撑腿上部的支撑架。

进一步的,所述支撑腿为T型,所述支撑架为凸型。

进一步的,所述支撑腿的下端通过螺栓与基座固定连接,所述支撑架的两端通过螺栓与基座固定连接。

进一步的,所述支撑架的顶部还设置有用来对激光器进行卡接固定的固定套和用于对激光器的中端底部进行支撑的支撑杆。

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