[发明专利]多晶B4 在审
| 申请号: | 202111018426.6 | 申请日: | 2021-09-01 |
| 公开(公告)号: | CN113773086A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
| 发明(设计)人: | 赵宇辉;段志群;王丽芬;张晓娜;刘杰;刘晓寅;赵玉;王刚 | 申请(专利权)人: | 河北工业职业技术学院 |
| 主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/653 |
| 代理公司: | 石家庄旭昌知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 13126 | 代理人: | 曹芸丽 |
| 地址: | 050000 河北*** | 国省代码: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多晶 base sub | ||
本发明提供了一种B4C‑SiC双层复合材料的制备方法及B4C—SiC双层复合材料,本发明的B4C‑SiC双层复合材料的制备方法,以B4C粉状材料和SiC砂状材料为原料,并按一定的方式进行混合配料,然后将混合配料压合成型并高温煅烧,其中,B4C粉状材料和SiC砂状材料的添加比例为1:1.5,该制备方法具体包括原料初处理、混合配料、压合成型和高温煅烧,且在混合配料过程中,B4C粉状材料和SiC砂状材料可按照A组混合方式或B组混合方式进行混料,然后压合成型并进行高温煅烧。本发明的B4C‑SiC双层复合材料的制备方法以SiC砂状材料作为填充主要材料、B4C粉状材料作为包裹粘合材料,并按照对应比列进行制备,可以获得高强度的复合材料。
技术领域
本发明涉及无机非金属技术领域,特别涉及一种B4C-SiC双层复合材料的制备方法。本发明还涉及一种由该制备方法制得的B4C-SiC双层复合材料。
背景技术
碳化硼,别名黑钻石,是一种无机物,化学式为B4C,它的莫氏硬度约为9.5,抗化学作用强,不受热氟化氢和硝酸的侵蚀,溶于熔化的碱中,不溶于水和酸,相对密度(d204)2.508~2.512,熔点2350℃,沸点3500℃。
碳化硅,是一种无机物,化学式为SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通过电阻炉高温冶炼而成,在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或耐火砂,中国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种,均为六方晶体,比重为3.20~3.25,显微硬度为2840~3320kg/mm2,在2700℃作用会进行升华。
碳化硼和碳化硅之间均具有较高的使用面积,可以应用与不同的行业领域,单一的属性无法满足当前的多方位使用要求,复合材料占据了大部分的市场使用份额。目前的制备方式中,主要将不同材料充分混合后再煅烧所得到的复合材料,但是此类制备方式中,因为不同材料之间的熔点存在一定数值的差异,就会导致某一种材料完全熔化的状态,另一种或者多种材料处于未熔化或者气化的状态,所以就导致所得到的复合材料出现不同程度的问题。
发明内容
有鉴于此,本发明旨在提出一种B4C-SiC双层复合材料的制备方法,以能够制备高强度的B4C-SiC双层复合材料。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种多晶B4C-SiC双层复合材料的制备方法,以B4C粉状材料和SiC砂状材料为原料,并按一定的方式进行混合配料,然后将混合配料压合成型并高温煅烧,其中,B4C粉状材料和SiC砂状材料的添加比例为1:1.5,该制备方法具体包括如下步骤:
a、原料初处理:选取B4C粉状材料和SiC砂状材料,并进行去除杂质;
b、混合配料:将B4C粉状材料和SiC砂状材料按照A组或B组的方式进行混合,其中,A组混合方式为B4C粉状材料和SiC砂状材料以层状平铺,且沿竖直方向的添加顺序依次为B4C粉状材料、SiC砂状材料和B4C粉状材料,且沿竖直方向的添加比例为0.5:1.5:0.5;B组混合方式为B4C粉状材料和SiC砂状材料按比例1:1.5搅拌混匀后平铺;
c、压合成型:将步骤b中的混合后配料装入模具中,通过高温热熔压合工艺进行压合成型;
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