[发明专利]多晶B4 在审
| 申请号： | 202111018426.6 | 申请日： | 2021-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN113773086A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 赵宇辉;段志群;王丽芬;张晓娜;刘杰;刘晓寅;赵玉;王刚 | 申请（专利权）人： | 河北工业职业技术学院 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/653 |
| 代理公司： | 石家庄旭昌知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 13126 | 代理人： | 曹芸丽 |
| 地址： | 050000 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 base sub | ||
1.一种多晶B4C-SiC双层复合材料的制备方法，其特征在于：以B4C粉状材料和SiC砂状材料为原料，并按一定的方式进行混合配料，然后将混合配料压合成型并高温煅烧，其中，B4C粉状材料和SiC砂状材料的添加比例为1:1.5，该制备方法具体包括如下步骤：
a、原料初处理：选取B4C粉状材料和SiC砂状材料，并进行去除杂质；
b、混合配料：将B4C粉状材料和SiC砂状材料按照A组或B组的方式进行混合，其中，A组混合方式为B4C粉状材料和SiC砂状材料以层状平铺，且沿竖直方向的添加顺序依次为B4C粉状材料、SiC砂状材料和B4C粉状材料，且沿竖直方向的添加比例为0.5:1.5:0.5；B组混合方式为B4C粉状材料和SiC砂状材料按比例1:1.5搅拌混匀后平铺；
c、压合成型：将步骤b中的混合后配料装入模具中，通过高温热熔压合工艺进行压合成型；
d、高温煅烧：将步骤c中压合成型的混合物放置在煅烧炉中进行高温煅烧，煅烧过程中的初始温度为500～550℃，并按照等差数列温度梯度升温至2000℃～2500℃范围内，冷却后取出，即制得多晶B4C-SiC双层复合材料。
2.根据权利要求1所述的多晶B4C-SiC双层复合材料的制备方法，其特征在于：步骤a中通过如下步骤对B4C粉状材料和SiC砂状材料去除杂质，具体步骤包括a1去离子水清洗-a2去除杂质-a3等温烘干处理，其中，等温处理的温度在120℃～150℃之间。
3.根据权利要求1所述的多晶B4C-SiC双层复合材料的制备方法，其特征在于：所述A组混合方式中，选取相应的成型模具，在模具底层铺设B4C粉状材料，然后在B4C粉状材料上层铺设SiC砂状材料，最后在SiC砂状材料上铺设与底层等量的B4C粉状材料；
所述B组混合方式中，选取相应的成型模具，并将B4C粉状材料和SiC砂状材料混合搅拌均匀后倒入至成型模具中。
4.根据权利要求3所述的多晶B4C-SiC双层复合材料的制备方法，其特征在于：所述A组混合方式和所述B组混合方式中均添加煅烧辅助添加剂，所述煅烧辅助添加剂位于A组中B4C粉状材料和SiC砂状材料的夹层之间，或者所述煅烧辅助添加剂混合在B组中的B4C粉状材料和SiC砂状材料中。
5.根据权利要求3所述的多晶B4C-SiC双层复合材料的制备方法，其特征在于：以所述A组混合方式混合后的混合物或者以所述B组混合方式混合后的混合物，通过压合结构压合成块，且在压合过程中，温度保持在500℃～550℃之间。
6.根据权利要求1所述的多晶B4C-SiC双层复合材料的制备方法，其特征在于：在步骤d中，所述等差数列温度梯度中的梯度为D，D＝75～100℃。
7.根据权利要求1所述的多晶B4C-SiC双层复合材料的制备方法，其特征在于：在步骤d高温煅烧过程中，充入惰性气体。
8.根据权利要求8所述的多晶B4C-SiC双层复合材料的制备方法，其特征在于：所述惰性气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气中的一种。
9.一种多晶B4C-SiC双层复合材料，其特征在于，所述多晶B4C-SiC双层复合材料由权利要求1至9中的任一项所述的制备方法制备得到。
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