[发明专利]排风装置及半导体热处理设备在审
申请号: | 202111014360.3 | 申请日: | 2021-08-31 |
公开(公告)号: | CN113611637A | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
发明(设计)人: | 刘红丽;王艾;侯建明 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;F27D9/00;F27D19/00 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 周永强 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 半导体 热处理 设备 | ||
本申请公开了一种排风装置及半导体热处理设备,涉及半导体装备领域。一种排风装置包括:第一排风组件,第一排风组件的进风口与半导体热处理设备的炉体的出风口连通;控制阀组件,控制阀组件包括阀本体、阀板和驱动器,阀本体连接于第一排风组件的出风口,阀本体上设有与第一排风组件的出风口相对的阀口,阀本体上还设有用于容纳阀板的容纳空间,容纳空间的一侧设有开口,驱动器与阀板连接,用于驱动阀板移入容纳空间或从容纳空间移出,以使阀板封闭或开启阀口。一种半导体热处理设备,包括上述排风装置。本申请能够解决阀门板的转轴在高温环境下变形而影响阀门板正常开启或关闭的问题。
技术领域
本申请属于半导体装备技术领域,具体涉及一种排风装置及半导体热处理设备。
背景技术
半导体热处理设备是集成电路制造的重要工艺设备,适用于集成电路制造过程中各种氧化、退火和薄膜生长等工艺。为了满足工艺要求且提高产品的生产率,需要在不会对半导体晶圆造成滑移等损伤的情况下尽可能快速地将半导体晶圆升温至工艺温度及快速冷却处于高温状态的半导体晶圆,因此需要对炉体进行快速升降温。
其中,炉体具有进风口和出风口,在工艺过程中,冷却气体通过进风口进入炉体内,经过热量交换后从出风口排出,以达到对炉体快速降温的目的。通常在出风口设置排风系统,通过排风系统对是否排出气体进行控制。
当前,一些排风系统包括阀门板,阀门板通过转轴可转动地设置,通过阀门板围绕转轴转动而实现开启或关闭。然而,阀门板和转轴均安装在排风系统的前端组件内,使得阀门转轴与炉体的出气口相对,从而使转轴暴露在高温环境中,长此以往,转轴容易在高温环境下发生变形导致转轴无法正常转动,进而使阀门板无法正常转动开启或转动关闭,影响排风系统的正常运行。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种排风装置及半导体热处理设备,能够解决阀门板的转轴在高温环境下变形而影响阀门板正常开启或关闭的问题。
为了解决上述技术问题,本申请是这样实现的:
本申请实施例提供了一种排风装置,应用于半导体热处理设备,该排风装置包括:
第一排风组件,所述第一排风组件的进风口与所述半导体热处理设备的炉体的出风口连通;
控制阀组件,所述控制阀组件包括阀本体、阀板和驱动器,所述阀本体连接于所述第一排风组件的出风口,所述阀本体上设有与所述第一排风组件的出风口相对的阀口,所述阀本体上还设有用于容纳所述阀板的容纳空间,所述容纳空间的一侧设有开口,所述驱动器与所述阀板连接,用于驱动所述阀板移入所述容纳空间或从所述容纳空间移出,以使所述阀板封闭或开启所述阀口。
本申请实施例还提供了一种半导体热处理设备,该半导体热处理设备包括上述排风装置。
在本申请实施例中,通过第一排风组件和控制阀组件可以将从炉体的出风口排出的气体排到厂房外,并且根据实际工况使阀板开启或闭合,从而可以实现对阀口的开启或闭合;在阀板开启时可以使从炉体的出风口排出的气体依次经过第一排风组件的进风口、第一排风组件的出风口和控制阀组件的阀口排出到厂房外。基于上述设置,本申请实施例中的排风装置采用阀板移入或移出容纳空间的方式,替代了传统的通过转轴使阀门板旋转开启或关闭的方式,从而不存在转轴正对炉体的出气口的情况,有效避免了转轴受高温影响发生变形而导致阀门板无法开启或关闭的问题,进而确保了阀板的正常开启或闭合,保证了排风系统的正常运行。
附图说明
图1为本申请实施例公开的炉体与排风装置的结构示意图;
图2为本申请实施例公开的第一排风组件和控制阀组件的结构示意图;
图3为本申请实施例公开的第一法兰、第二法兰和阀板的拆解示意图;
图4为本申请实施例公开的第一法兰和阀板的装配示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造