[发明专利]筛查存在漏电通路的MOS器件的方法

说明书

本发明提供筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，包括：读入待筛查的版图文件，获取所述版图文件中的MOS器件信息；利用预设的漏电通路筛查模块判断MOS器件是否存在漏电通路；将判断结果为存在漏电通路的MOS器件，作为筛查得到的MOS器件。步骤简洁，利于提高器件真实电学特性的分析的效率，筛查结果的可靠性高。有利于降低工艺研发成本，解决了人工检查费时和易产生疏漏的问题，当MOS器件数量较多时，利用漏电通路筛查模块进行自动化筛查的优势尤为明显；避免了器件真实电学特性的分析中存在的不利因素。

技术领域

本发明属于半导体设计和制造技术领域，尤其涉及一种筛查存在漏电通路的MOS器件的方法。

背景技术

半导体行业中，芯片最终能否正常工作是备受关注的，从电路构成来看，芯片是由器件组成的，器件自身的电学特性对于整个芯片也就至关重要了。器件的电学特性可以通过仿真来初步获取，通过仿真得到是仿真(Simulation)数据；芯片生产后对器件测量得到的是测试(Silicon)数据。将仿真数据与测试数据进行比较(S2S)。通过比较，验证仿真数据的准确性并辅助判断测试数据的正确性。仿真数据如果可以准确反映器件的真实电学特性，那么就可以用于设计新型器件、旧器件改良，取代耗费成本的硅片实验，降低成本，缩短开发周期和提高成品率。

对于MOS器件，实际应用中会根据需求选择特定的目标器件，将其连接到可测试的电路中，进行测试，对比分析其仿真数据和测试数据。其中常见问题是：一个测试结构对应只有特定的目标器件的gate(栅极)是有信号接入的，其他的MOS器件都是floating gate(浮栅)，由于floating gate上的电压是不固定的，存在某种程度开启的可能，便会增加目标器件S/D端(源/漏端)的leakage path(漏电通路)，相应的Ioff(关态电流)的电流值会偏大，这样就会影响器件真实电学特性的分析。但目前对于MOS器件而言，一般没有特别关注有无这样的leakage path存在，也就是说尚未注意到这样的leakage path对MOS器件的电学特性准确测量的影响。相应也没有行之有效的方法能够对leakage path进行筛查。

因此目前有必要研究筛查是否存在leakage path的MOS器件的方法，以避免leakage path对MOS器件电学特性分析准确性的潜在不利影响，以此进一步推动半导体设计和制造技术的深入发展及广泛应用。

发明内容

为解决上述现有技术的全部或部分问题，本发明提供了能实现MOS器件leakagepath筛查的方法。本发明的解决方案是：提供筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，包括：步骤一.读入待筛查的版图文件，获取所述版图文件中的MOS器件信息；步骤二.利用预设的漏电通路筛查模块判断MOS器件是否存在漏电通路(leakage path)；其中所述漏电通路筛查模块中定义有MOS器件是否存在漏电通路的判断条件；步骤三.将判断结果为存在漏电通路的MOS器件，作为筛查得到的MOS器件。

所述判断条件包括：若某MOS器件的源端和/或漏端与其他MOS器件的源端和/或漏端连接在一起，则判断该MOS器件是存在漏电通路的MOS器件。具体即：若某MOS器件的源端和漏端与其他MOS器件的源端和漏端连接在一起，则判断该MOS器件是存在漏电通路的MOS器件；若某MOS器件的源端或漏端与其他MOS器件的源端或漏端连接在一起，则判断该MOS器件是存在漏电通路的MOS器件。

当需要指定所述版图文件中需要筛查的MOS器件时，所述步骤二中还包括确定所述版图文件中需要筛查的MOS器件为筛查目标器件，并定位所述筛查目标器件；在所述版图文件中添加筛查标识层，将所述筛查目标器件的筛查信息添加到所述筛查标识层；所述筛查信息包括：表征所述筛查目标器件的坐标信息和形状信息；所述步骤二中只判断所述筛查标识层中的所述筛查目标器件是否存在漏电通路。