[发明专利]筛查存在漏电通路的MOS器件的方法

权利要求书

1.筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：包括：

步骤一.读入待筛查的版图文件，获取所述版图文件中的MOS器件信息；

步骤二.利用预设的漏电通路筛查模块判断MOS器件是否存在漏电通路；其中所述漏电通路筛查模块中定义有MOS器件是否存在漏电通路的判断条件；

步骤三.将判断结果为存在漏电通路的MOS器件，作为筛查得到的MOS器件；

其中，所述判断条件包括：若某MOS器件的源端和/或漏端与其他MOS器件的源端和/或漏端连接在一起，则判断该MOS器件是存在漏电通路的MOS器件；

当需要指定所述版图文件中需要筛查的MOS器件时，所述步骤二中还包括确定所述版图文件中需要筛查的MOS器件为筛查目标器件；

在所述版图文件中添加筛查标识层，将所述筛查目标器件的筛查信息添加到所述筛查标识层；所述筛查信息包括：表征所述筛查目标器件的坐标信息和形状信息；

所述步骤二中只判断所述筛查标识层中的所述筛查目标器件是否存在漏电通路。

2.根据权利要求1所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：所述步骤二中，定位所述筛查目标器件。

3.根据权利要求1或2所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：所述步骤三中，还将筛查得到的MOS器件作为目标器件；

在所述版图文件中添加第一标识层，所述第一标识层中添加有用于定位所述目标器件的第一信息；

所述第一信息包括：表征所述目标器件的源端和/或漏端与其他MOS器件的源端和/或漏端存在连接的M0连接线的坐标信息和形状信息；其中，所述M0连接线用于连接MOS器件的有源区或栅极；

所述步骤三之后，利用所述第一标识层对所述目标器件进行处理和分析。

4.根据权利要求3所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：对所述目标器件进行处理和分析包括修正所述目标器件，使其不存在漏电通路；

修正的方法包括：利用预设的漏电通路修正模块修正所述目标器件的漏电通路；其中，所述漏电通路修正模块中定义有存在漏电通路的MOS器件的修正方式；

所述修正方式包括：步骤S1.在M0切断层添加M0C，用于对所述M0连接线进行切断，以断开所述目标器件的源端和/或漏端与其他MOS器件的源端和/或漏端之间的连接；步骤S2.判断所述目标器件的源端、漏端和栅端是否能分别经过已有的V0通孔连接到M1连接线；如不能，则添加缺少的V0通孔；

步骤S2中所述M1连接线在M1层，通过V0通孔与所述M0连接线相连。

5.根据权利要求4所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：所述修正方式还包括：在所述步骤S2之后，删除多余的V0通孔；

所述多余的V0通孔是指在添加M0C后，不再用于连接所述目标器件的V0通孔。

6.根据权利要求4所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：在对所述目标器件进行修正后，删除所述第一标识层中该目标器件的第一信息。

7.根据权利要求4所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：在对所述目标器件进行修正后，在修正后的所述目标器件的版图文件中添加第二标识层，用于添加完成修正后的所述目标器件的第二信息；

所述第二信息包括：表征修正后的所述目标器件的坐标信息和形状信息。

8.根据权利要求4所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：所述目标器件有多个；

在对所述目标器件进行修正之后，为每个修正后的目标器件在所述版图文件中添加各自的专属标识层；

所述专属标识层中包括第三信息，所述第三信息表征所述目标器件的坐标信息和形状信息。

9.根据权利要求4所述的筛查存在漏电通路的MOS器件的方法，其特征在于：在对所述目标器件进行修正后，对修正后的所述目标器件的版图文件进行验证；

若符合预设的版图工艺设计规则，则表示完成修正；

若不符合预设的版图工艺设计规则，则返回重新进行修正。