[发明专利]一种硅片加工后清洗剂组合物

说明书

本发明涉及一种硅片加工后的清洗剂组合物，特别是一种硅片线切割或抛光后表面的清洗液组合物，属于硅片加工后清洗技术领域。本发明的清洗液组合物的组成特点是含有有机高分子絮凝剂。其各组分的重量百分含量如下：表面活性剂10～15％，渗透剂5～10％，有机高分子絮凝剂0.01～0.3％，碱0.2～2％，去离子水余量。采用本发明提供的清洗液组合物对加工后的硅片进行清洗。由于高分子量的有机絮凝剂分子链中大量的极性基团可吸附工件表面或水中悬浮的纳米固体粒子，使粒子间架桥形成大的絮凝物，促使纳米颗粒团聚成大颗粒，加速工件表面纳米颗粒的剥离及悬浮液中的粒子的沉降，实现快速、高效去除硅片表面残留颗粒污染物的目的，达到良好的清洗效果。

技术领域

本发明涉及一种硅片加工后的清洗剂组合物，特别是一种硅片线切割或抛光等加工后表面的清洗液组合物，该清洗液组合物可有效降低表面残留颗粒。属于硅片表面清洗处理技术领域。

背景技术

硅片是电子行业最广泛采用的材料之一，硅片生产中每一道工序存在的潜在污染，都可能导致缺陷的产生和器件的失败。在超大规模集成电路的制造工艺中，硅片的表面状态是集成电路平整度保证的基础，如果清洗效果不好会直接影响器件的成品率、性能和可靠性。

硅片使用过程中，线切割、抛光是常见的加工方式。这些加工中，线切割会产生大量的细微硅粉以及抛光液中大量使用高浓度的纳米磨粒(如纳米二氧化硅)等，由于纳米颗粒活性高、吸附力强，加工后的新鲜工件表面极易吸附这些细小的硅粉、纳米颗粒等污染物，导致硅片加工后清洗极其困难，硅片加工后表面的残留颗粒是目前硅片表面主要的污染物之一。硅片加工后清洗质量的高低已严重影响到硅片的使用性能。

目前，硅片的清洗主要依赖强酸、强碱、强氧化剂等清洗剂的标准RCA清洗方法等，这些清洗剂因腐蚀性过强、会引起抛光后表面变粗糙等问题。并且这些清洗剂对残留颗粒的清洗效果不理想，容易出现花状表面，清洗后的硅片表面会出现残留物斑迹，难以满足电子工业生产对清洗剂的高要求。

发明内容

本发明的目的是克服现有硅片加工后清洗技术的不足，提供了一种含有有机高分子絮凝剂的清洗液组合物，通过有机高分子絮凝剂的加入，高分子量的有机絮凝剂如聚丙烯酰胺分子链中大量的极性基团可吸附工件表面或水中悬浮的纳米固体粒子，使粒子间架桥形成大的絮凝物，促使纳米颗粒团聚成大颗粒，加速工件表面纳米颗粒的剥离及悬浮液中的粒子的沉降，由于大颗粒比纳米颗粒更易清洗去除，从而实现快速、高效去除颗粒污染物的目的，达到良好的清洗效果。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：本发明一种硅片加工后的清洗剂组合物，包括该清洗剂含有有机高分子絮凝剂。

进一步的，具有以下的组成成分及其重量百分含量：

进一步的，所述表面活性剂为水溶性表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠、十二烷基聚氧乙烯醚硫酸钠、平平加O-15中的一种。

进一步的，所述渗透剂为渗透剂T或渗透剂JFC。

进一步的，所述有机高分子絮凝剂包括聚丙烯酰胺、季铵化的聚丙烯酰胺、聚丙烯酸-聚丙烯酰胺共聚物、苯乙烯磺酸共聚物中的一种或多种，且所述有机高分子絮凝剂的数均分子量为Mn＝10万-100万。

进一步的，所述碱为有机或无机碱。

进一步的，所述碱为氢氧化钠、氢氧化钾、乙醇胺、四甲基氢氧化铵中的一种。

通过所述的清洗液组合物中有机高分子絮凝剂及各成分组合对加工后硅片表面纳米颗粒污染物的絮凝和剥离作用，提高纳米颗粒的去除效率、降低颗粒残留，同时该清洗剂具有低的腐蚀性，因而提高了表面的平整性和清洁度。适合用作硅片加工(线切割或抛光)后表面的超精密清洗液。

具体实施方式

现将本发明的具体实施例叙述于后。