[发明专利]芯片失效模式的确定方法、终端在审

专利信息
申请号: 202111005924.7 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN113823349A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 全芯智造技术有限公司
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12;G06F11/22
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 朱薇蕾;张振军
地址: 230088 安徽省合肥市高新区*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 芯片 失效 模式 确定 方法 终端
【权利要求书】:

1.一种芯片失效模式的确定方法,其特征在于,包括:

获取芯片在多个测试电压下的失效比特;

对所获取到的失效比特进行失效模式运算,获得至少一个失效比特组以及每一个失效比特组的失效模式,其中,所述失效比特组包括至少一个测试电压下的失效比特;

基于所述失效比特组的失效模式,确定所述失效比特组中失效比特的失效模式。

2.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述基于所述失效比特组的失效模式,确定所述失效比特组中失效比特的失效模式包括:

对于所述失效比特组中的每一失效比特,建立所述失效比特在所述芯片上的位置与所述失效比特组的失效模式之间的对应关系;

基于所述对应关系,确定所述失效比特组中失效比特的失效模式。

3.根据权利要求2所述的确定方法,其特征在于,在建立所述失效比特在所述芯片上的位置与所述失效比特组的失效模式之间的对应关系之后,还包括:

根据所述对应关系建立数据表,其中,所述数据表中基于失效模式标识来区分失效比特组,所述数据表还记录所述失效比特组和失效模式之间的关联关系;

所述基于所述对应关系,确定所述失效比特组中失效比特的失效模式包括:通过查找所述数据表,获得所述失效比特组中失效比特对应的失效模式。

4.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,还包括:

根据所述失效比特组的失效比特在所述多个测试电压下的失效情况,确定所述失效比特组中失效比特的失效类型。

5.根据权利要求4所述的确定方法,其特征在于,所述根据所述失效比特组的失效比特在所述多个测试电压下的失效情况,确定所述失效比特组中失效比特的失效类型包括:

若所述失效比特组的失效比特在所述多个测试电压下均失效,则确定所述失效比特组中各失效比特为硬失效;

若所述失效比特组中任一失效比特在至少一个测试电压下未失效,则确定所述失效比特组中各失效比特为软失效。

6.根据权利要求4所述的确定方法,其特征在于,所述根据所述失效比特组的失效比特在所述多个测试电压下的失效情况,确定所述失效比特组中失效比特的失效类型包括:

对于所述多个测试电压中的每一测试电压,对芯片在所述测试电压下的失效比特进行失效模式运算,得到所述失效比特组中失效比特在测出该失效比特的测试电压下的候选失效模式;

比较所述失效比特组中失效比特在所有测出该失效比特的测试电压下的候选失效模式是否一致;

若比较结果为一致,则确定所述失效比特组中各失效比特为硬失效;

若比较结果为不一致,则确定所述失效比特组中失效比特为软失效。

7.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述芯片包括多个存储块,其中每一存储块包括多个比特;所述获取芯片在多个测试电压下的失效比特包括:

获取每一存储块在多个测试电压下的失效比特;

基于每一存储块所获得失效比特,获取芯片在多个测试电压下的失效比特。

8.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述获取芯片在多个测试电压下的失效比特包括:

获取芯片在每一个测试电压下的失效比特;

将所获取的失效比特进行叠加,获取所述芯片在多个测试电压下的失效比特。

9.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述对所获取到的失效比特进行失效模式运算,获得至少一个失效比特组以及每一个失效比特组的失效模式包括:

按判断优先级由高到低的顺序遍历预设失效模式集合中的失效模式,将所获取到的失效比特归类成至少一个失效比特组,并确定各失效比特组的失效模式,其中,所述预设失效模式集合包括多个失效模式及判断优先级。

10.一种终端,包括存储器和处理器,所述存储器上存储有可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器运行所述计算机程序时执行权利要求1至9中任一项所述方法的步骤。

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