[发明专利]一种逻辑纠错方法、电路、计算机芯片及物联网芯片有效

专利信息
申请号: 202111002776.3 申请日: 2021-08-30
公开(公告)号: CN113704017B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 李智炜;王义楠;刘海军;龙泓昌;李清江;刁节涛;徐晖;陈长林;刘森;宋兵;王伟;于红旗;朱熙;王玺;步凯;王琴;曹荣荣 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G06F11/07 分类号: G06F11/07;G11C13/00;G11C29/52
代理公司: 北京超成律师事务所 11646 代理人: 高玉光
地址: 410000 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 逻辑 纠错 方法 电路 计算机 芯片 及物 联网
【说明书】:

发明实施例公开了一种逻辑纠错方法、电路、计算机芯片及物联网芯片,应用于逻辑纠错电路,所述逻辑纠错电路包括:IMP逻辑运算单元、或非逻辑检测单元、或逻辑运算单元;所述方法包括:根据所述IMP逻辑运算单元的四组初始逻辑组合及高低阻态转换条件,确定会出现高低阻态转换错误结果的目标逻辑组合;所述或非逻辑检测单元检测所述目标逻辑组合的逻辑输出结果,根据所述逻辑输出结果判断是否产生逻辑错误;若产生所述逻辑错误,所述或逻辑运算单元则纠正所述逻辑错误。选择合适的激励电压,调控逻辑错误发生规律,使用两类特定的逻辑基元,以逻辑级联的方式完成逻辑错误的检测与纠正,提出一种低资源开销的以忆阻器为基础的逻辑纠错的方法。

技术领域

本发明涉及计算机技术领域,尤其涉及一种逻辑纠错方法、电路、计 算机芯片及物联网芯片。

背景技术

忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。通过控制电流的变化可改变 忆阻器的阻值,通过对高低阻态的定义,可以实现存储数据的功能。忆阻 器具有非易失特性、高集成度、与CMOS高兼容性的特点,展现出广泛的 应用前景。

由于目前制备工艺等问题,忆阻器存在较多的非理想因素,比如阻值 存在波动、电压转变阈值存在波动,导致忆阻器状态逻辑在实际运行中出 现意外错误。针对忆阻器的状态逻辑操作中存在的问题,现有技术提出通 过选择合适的激励电压施加方案,控制状态逻辑错误类型,随后使用外围 CMOS电路完成错误的检测与纠正。但现有技术的资源开销仍然较大,并 且降低了存内计算优势。

发明内容

鉴于现有技术的缺陷,本申请提出一种逻辑纠错方法、电路、计算机 芯片及物联网芯片,实现低资源开销的基于忆阻器自身完成逻辑纠错的方 法。

第一方面,本申请提供一种逻辑纠错方法,应用于逻辑纠错电路,所 述逻辑纠错电路包括:第一忆阻器、第二忆阻器、第三忆阻器和第四忆阻 器;各忆阻器的第一端分别与对应的激励电压输入端连接;所述各忆阻器 的第二端依次连接到同一位线上;所述第一忆阻器与所述第二忆阻器构成 IMP逻辑运算单元;所述第一忆阻器、所述第二忆阻器和所述第三忆阻器 构成第一或非逻辑运算单元;所述第一忆阻器、所述第二忆阻器和第四忆 阻器构成第二或非逻辑运算单元;所述第一或非逻辑运算单元和所述第二 或非逻辑运算单元构成或非逻辑检测单元;所述第二忆阻器、所述三忆阻 器和第四忆阻器构成或逻辑运算单元;

所述方法包括:

根据所述IMP逻辑运算单元的四组初始逻辑组合及高低阻态转换条件, 确定会出现高低阻态转换错误结果的目标逻辑组合;

所述或非逻辑检测单元检测所述目标逻辑组合的逻辑输出结果,根据 所述逻辑输出结果判断是否产生逻辑错误;

若产生所述逻辑错误,所述或逻辑运算单元则纠正所述逻辑错误。

可选的,所述逻辑纠错电路中各忆阻器的高阻态和低阻态分别对应逻 辑“0”和逻辑“1”。

可选的,所述根据所述IMP逻辑运算单元的四组初始逻辑组合及高低 阻态转换条件,确定会出现高低阻态转换错误结果的目标逻辑组合,包括:

对各组初始逻辑组合在不同激励电压下进行测试,得到各组初始逻辑 组合对应的测试结果;

根据四组测试结果确定对应的第一激励电压范围;

在所述第一激励电压范围内,选择第一激励电压激励所述IMP逻辑运 算单元;

在所述第一激励电压激励下,根据所述高低阻态转换条件确定会出现 高低阻态转换错误结果的目标逻辑组合。

可选的,所述或非逻辑检测单元检测所述目标逻辑组合的逻辑输出结 果,根据所述逻辑输出结果判断是否产生逻辑错误,包括:

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