[发明专利]蚀刻方法

说明书

本发明的实施方式涉及蚀刻方法。在使用催化剂的蚀刻中，不易产生加工不良。实施方式的蚀刻方法包括以下工序：在一个主面具有第1及第2区域的基板上形成第1层，所述第1层在覆盖上述第1区域的部分中设置有多个开口或规定多个岛状部的1个以上的开口，覆盖上述第2区域的部分为连续膜；通过镀覆法在上述主面中的在上述多个开口或上述1个以上的开口内露出的部分上形成包含贵金属的催化剂层；形成第2层，所述第2层将上述催化剂层中的与上述第1及第2区域间的边界邻接的部分覆盖，使上述催化剂层中的与上述边界间隔的部分露出；以及，在上述催化剂层及上述第2层的存在下，用包含氧化剂和氟化氢的蚀刻剂对上述基板进行蚀刻。

本申请基于日本专利申请2021-044887(申请日：3/18/2021)，由该申请享有优先权。本申请通过参照该申请而包含该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及蚀刻方法。

背景技术

MacEtch(Metal-Assisted Chemical Etching，金属辅助化学蚀刻)法是使用贵金属作为催化剂、对半导体表面进行蚀刻的方法。根据MacEtch法，例如可以在半导体基板上形成高长宽比的凹部。

发明内容

本发明所要解决的课题是在使用了催化剂的蚀刻中不易产生加工不良。

根据一方面，提供一种蚀刻方法，其包括以下工序：在包含半导体材料、具有一个主面彼此邻接的第1区域及第2区域的基板上形成第1层，所述第1层将上述第1区域及上述第2区域覆盖，在覆盖上述第1区域的部分中设置有多个开口或规定多个岛状部的1个以上的开口，覆盖上述第2区域的部分为连续膜；通过镀覆法在上述主面中的在上述多个开口或上述1个以上的开口内露出的部分上形成包含贵金属的催化剂层；形成将上述催化剂层中的与上述第1区域与上述第2区域的边界邻接的部分覆盖、使上述催化剂层中的与上述边界间隔的部分露出的第2层；以及，在上述催化剂层及上述第2层的存在下，用包含氧化剂和氟化氢的蚀刻剂对上述基板进行蚀刻。

根据另一方面，提供一种蚀刻方法，其包括以下工序：在包含半导体材料、具有一个主面彼此邻接的第1区域及第2区域的基板上形成掩模层，所述掩模层包含覆盖上述第1区域且设置有多个开口或规定多个岛状部的1个以上的开口的第1部分、和覆盖上述第2区域的作为连续膜的第2部分，与上述第1区域与上述第2区域的边界邻接的位置处的上述第2部分的以上述主面作为基准的高度与上述第1部分的以上述主面作为基准的高度相比较大；通过镀覆法在上述主面中的在上述多个开口或上述1个以上的开口内露出的部分上形成包含贵金属的催化剂层；以及，在上述催化剂层及上述掩模层的存在下，用包含氧化剂和氟化氢的蚀刻剂对上述基板进行蚀刻。

根据上述方法，能够在使用了催化剂的蚀刻中不易产生加工不良。

附图说明

图1是表示可通过第1及第2实施方式的方法而制造的电容器的一个例子的上表面图。

图2是沿着图1中所示的电容器的II-II线的截面图。

图3是表示第1实施方式的电容器的制造方法中的一工序的截面图。

图4是表示第1实施方式的电容器的制造方法中的其他工序的截面图。

图5是表示通过图4的工序而得到的结构的上表面图。

图6是表示第1实施方式的电容器的制造方法中的另外的工序的截面图。

图7是表示第1实施方式的电容器的制造方法中的另外的工序的截面图。

图8是表示通过图7的工序而得到的结构的上表面图。

图9是表示第1实施方式的电容器的制造方法中的另外的工序的截面图。

图10是表示第1实施方式的电容器的制造方法中的另外的工序的截面图。