[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其包括以下工序：

在包含半导体材料、具有一个主面彼此邻接的第1区域及第2区域的基板上形成第1层，所述第1层将所述第1区域及所述第2区域覆盖，在覆盖所述第1区域的部分中设置有多个开口或规定多个岛状部的1个以上的开口，覆盖所述第2区域的部分为连续膜；

通过镀覆法在所述主面中的在所述多个开口或所述1个以上的开口内露出的部分上形成包含贵金属的催化剂层；

形成将所述催化剂层中的与所述第1区域与所述第2区域的边界邻接的部分覆盖、使所述催化剂层中的与所述边界间隔的部分露出的第2层；以及

在所述催化剂层及所述第2层的存在下，用包含氧化剂和氟化氢的蚀刻剂对所述基板进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，在所述第1层中，作为所述多个开口，设置沿宽度方向排列的多个狭缝。

3.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述基板除了所述催化剂层及所述第2层以外，在所述第1层的存在下进行蚀刻。

4.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，所述第2层按照位于所述第1区域上的部分的宽度成为20～100μm的范围内的方式形成。

5.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，作为所述催化剂层，形成由包含所述贵金属的粒子制成的粒状层。

6.一种蚀刻方法，其包括以下工序：

在包含半导体材料、具有一个主面彼此邻接的第1区域及第2区域的基板上形成掩模层，所述掩模层包含覆盖所述第1区域且设置有多个开口或规定多个岛状部的1个以上的开口的第1部分、和覆盖所述第2区域的作为连续膜的第2部分，与所述第1区域与所述第2区域的边界邻接的位置处的所述第2部分的以所述主面作为基准的高度与所述第1部分的以所述主面作为基准的高度相比较大；

通过镀覆法在所述主面中的在所述多个开口或所述1个以上的开口内露出的部分上形成包含贵金属的催化剂层；以及

在所述催化剂层及所述掩模层的存在下，用包含氧化剂和氟化氢的蚀刻剂对所述基板进行蚀刻。

7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其中，在所述掩模层中，作为所述多个开口，设置沿宽度方向排列的多个狭缝。

8.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其中，所述掩模层的形成包括：

在所述基板上形成第1层，所述第1层将所述第1区域及所述第2区域覆盖，在覆盖所述第1区域的部分中设置有所述多个开口或所述规定多个岛状部的所述1个以上的开口，覆盖所述第2区域的部分为连续膜；以及

形成第2层，所述第2层使所述第1层中的覆盖所述第1区域的所述部分露出，将所述第1层中的所述第2区域在至少与所述边界邻接的位置处覆盖。

9.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其中，与所述边界邻接的位置处的所述第2部分的从所述主面起的所述高度相对于所述第1部分的从所述主面起的所述高度之比在2～5的范围内。

10.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其中，所述第2部分的以所述第1部分作为基准的高度相对于从所述第2部分中的以所述主面作为基准的高度最大的部分至所述多个开口或所述1个以上的开口为止的与所述主面平行的方向上的距离之比在1～4的范围内。

11.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其中，作为所述催化剂层，形成由包含所述贵金属的粒子制成的粒状层。

12.一种结构体的制造方法，其包括通过权利要求1～11中任一项所述的蚀刻方法在所述基板中形成1个以上的凹部。

13.一种半导体装置的制造方法，其包括：

通过权利要求1～11中任一项所述的蚀刻方法在所述基板中形成1个以上的凹部；

在所述1个以上的凹部的侧壁上形成下部电极；

在所述下部电极上形成介电体层；以及

在所述介电体层上形成上部电极。