[发明专利]电源组件、等离子体浸没离子注入设备及其使用方法

说明书

本申请公开一种电源组件、等离子体浸没离子注入设备及其使用方法，所述电源组件包括壳体、第一电源、第二电源和输出接口，其中：所述第一电源和所述第二电源集成设置于所述壳体内，所述输出接口设置于所述壳体上；所述第一电源与所述输出接口连接，所述第二电源与所述输出接口连接；所述第一电源用于输出第一直流电压信号，所述第二电源用于输出脉冲电压信号，所述输出接口用于输出所述第一直流电压信号、所述脉冲电压信号或叠加信号，所述叠加信号由所述第一直流电压信号和所述脉冲电压信号叠加形成。上述方案能够解决相关技术中多电源结构布局会产生较强的寄生电感电容而影响工艺质量的问题。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电源组件、等离子体浸没离子注入设备及其使用方法。

背景技术

在半导体制造技术领域中，等离子体浸没离子注入工艺是将晶圆浸没在等离子体中，并将等离子体中的离子作为掺杂物注入到晶圆中，以改变晶圆表面材料的特性。其中，离子具体是在偏置电压的作用下注入晶圆，而偏置电压需要通过高压直流脉冲电源来生成。

同时，等离子体浸没注入设备包括设置于腔室内的静电卡盘，静电卡盘用于对晶圆施加静电吸附作用而进行可靠固定。其中，静电卡盘的静电吸附作用需要通过静电吸附电源来产生。由于高压直流脉冲电源和静电吸附电源均是作为独立装置设置，二者的走线均较为复杂，这些线路会产生较强的寄生电容电感，寄生电感电容会导致高压直流脉冲电源输出的偏置电压不稳定，进而造成对工艺质量的负面影响。

发明内容

本申请公开一种电源组件、等离子体浸没离子注入设备及其使用方法，以解决相关技术中多电源结构布局会产生较强的寄生电感电容而影响工艺质量的问题。

为了解决上述问题，本申请采用下述技术方案：

第一方面，本申请提供一种等离子体浸没离子注入设备的电源组件，所述电源组件包括壳体、第一电源、第二电源和输出接口，其中：

所述第一电源和所述第二电源集成设置于所述壳体内，所述输出接口设置于所述壳体上；所述第一电源与所述输出接口连接，所述第二电源与所述输出接口连接；

所述第一电源用于输出第一直流电压信号，所述第二电源用于输出脉冲电压信号，所述输出接口用于输出所述第一直流电压信号、所述脉冲电压信号或叠加信号，所述叠加信号由所述第一直流电压信号和所述脉冲电压信号叠加形成。

第二方面，本申请提供一种等离子体浸没离子注入设备，其包括工艺腔室、静电卡盘以及本申请第一方面所述的电源组件，所述静电卡盘设置于所述工艺腔室内，所述电源组件通过所述输出接口与所述静电卡盘连接。

第三方面，本申请提供一种等离子体浸没离子注入设备的使用方法，其采用本申请第二方面所述的等离子体浸没离子注入设备；所述使用方法包括：

传输待加工晶圆至所述静电卡盘上，控制所述第一电源输出所述第一直流电压信号，以使所述待加工晶圆被吸附固定在所述静电卡盘上；

向所述工艺腔室内通入保护气体和工艺气体，进行启辉而形成等离子体；

控制所述第二电源输出所述脉冲电压信号而由所述输出接口输出所述叠加信号，以使所述等离子体中的离子注入所述待加工晶圆。

本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果：

在本申请公开的等离子体浸没离子注入设备的电源组件中，由于第一电源和第二电源被集成设置于同一壳体内，二者可以共用同一个输出接口，这样就能够仅通过一条馈线输出信号，相较于相关技术中两个电源分别走线的方案，本申请的电源组件无疑能够达到简化走线的效果，减少寄生电感电容的产生，进而提升了工艺质量。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。