[发明专利]一种基于微机电系统器件的制造方法

说明书

本发明公开了一种基于微机电系统器件的制造方法，包括：在第一芯片表面和第二芯片表面均设置标志，在第一芯片上的标志所在位置形成第一电极，在第二芯片上的标志所在位置形成第二电极，第一芯片和第二芯片通过连接键合在一起；键合第一芯片和第二芯片，减薄键合后的芯片；通过淀积氧化硅形成氧化层；去除氧化层上的部分氧化硅，露出导电通孔，然后淀积金属层；使得金属层和导电通孔相连接；调整布线，然后淀积钝化层，光刻钝化层以暴露第金属层中需要与外界对接的部分，在与外界对接的部分上植金属球。能够保证微机电系统器件的工作元件处在真空环境内，从而使微机电系统器件具有更高的灵敏度、精确性以及稳定性。

技术领域

本发明涉及机电设备系统研发技术领域，尤其涉及一种基于微机电系统器件的制造方法。

背景技术

微机电系统技术是近年来高速发展的一项高新技术。与由传统技术制作的对应器件相比，微机电系统技术制作的器件在体积、功耗、重量及价格方面都有十分明显的优势，而且其采用先进半导体制造工艺，可以实现微机电系统器件的批量制造，目前在市场上，微机电系统器件的主要应用实例包括压力器件、加速度计及硅麦克风等。微机电系统器件一般通过电容、电阻等来感知器件所受压力、加速度与角速度等的大小，而电容、电阻的改变主要由器件内部的弹簧等效系统来产生，因此此类微机电系统器件均具有敏感的可动结构，通常通过将器件与一个类似帽子的盖子密封在一起来形成对器件内部可动结构的保护。

微机电系统，也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，指尺寸在几毫米乃至更小的高科技装置。微机电系统其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。微机电系统是在微电子技术基础上发展起来的，融合了光刻、腐蚀、薄膜、LIGA、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术制作的高科技电子机械器件。微机电系统是集微传感器、微执行器、微机械结构、微电源微能源、信号处理和控制电路、高性能电子集成器件、接口、通信等于一体的微型器件或系统。MEMS是一项革命性的新技术，广泛应用于高新技术产业，是一项关系到国家的科技发展、经济繁荣和国防安全的关键技术。

MEMS侧重于超精密机械加工，涉及微电子、材料、力学、化学、机械学诸多学科领域。它的学科面涵盖微尺度下的力、电、光、磁、声、表面等物理、化学、机械学的各分支在电子元件制造发展过程中，晶片级封装是一种技术趋势，微机电系统器件的封装步骤在切片之前完成。利用传统的工艺制成的微机电系统结构的真空密封性差，微机电系统器件的封装体积较大。另外，在传统的封装形式中，IC集成电路芯片和微机电系统传感器芯片通过打线的方式封装在一起，后续做成LGA封装，占用空间比较大。

键合技术一般是指将两片同质或异质半导体材料在一定条件下直接结合之后通过范德华力、分子力甚至原子力使晶片键合成为一体的技术，所以键合技术被广泛地应用于微机电系统中。但是，由于现有微机电系统器件设计上存在的技术瓶颈，常规的微机电系统器件制造方法或产品结构经常会出现工作元件灵敏性低、精确性差、稳定性差或使用寿命短等问题，亟待需要解决。

发明内容

本发明克服了现有技术的不足，提供一种基于微机电系统器件的制造方法。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案为：一种基于微机电系统器件的制造方法，包括以下步骤：

步骤S1：在第一芯片表面和第二芯片表面均设置标志，在第一芯片上的标志所在位置形成第一电极，在第二芯片上的标志所在位置形成第二电极，第一芯片和第二芯片通过连接键合在一起。

步骤S2：键合第一芯片和第二芯片，减薄键合后的芯片；对减薄后的芯片的表面进行氧化，通过淀积氧化硅形成氧化层；去除氧化层上的部分氧化硅，露出导电通孔，然后淀积金属层。

步骤S3：使得金属层和导电通孔相连接；调整布线，然后淀积钝化层，光刻钝化层以暴露第金属层中需要与外界对接的部分，在与外界对接的部分上植金属球。

本发明一个较佳实施例中，在所述金属层上沉积附加层，其中所述附加层为负效感光材料。