[发明专利]一种光电子抑制电离源装置有效

专利信息
申请号: 202110992538.5 申请日: 2021-08-27
公开(公告)号: CN113808909B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 李海洋;曹艺雪;陈平;文宇轩;陈懿 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: H01J49/16 分类号: H01J49/16;H01J49/06
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 何丽英
地址: 116023 辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 光电子 抑制 电离 装置
【说明书】:

发明属于质谱离子源技术领域,特别涉及一种光电子抑制电离源装置。包括由上至下依次设置的紫外光源、顶部传输电极、多极杆电极及改性出口电极,其中顶部传输电极和改性出口电极的轴向开有通孔;紫外光源设置于顶部传输电极的顶部通孔处,用于向电离区照射紫外光;顶部传输电极的上端设有顶盖电极挡光绝缘垫,顶盖电极挡光绝缘垫用于阻挡紫外光源的紫外光对顶部传输电极的辐照;顶部传输电极和多极杆电极之间设有多极杆电极绝缘垫;多极杆电极的内侧设有挡光管,挡光管用于阻挡紫外光源的紫外光对多极杆电极的辐照。本发明不仅可以抑制光电子产生保证单一的单光子电离途径,还能够能实现离子聚焦,提高离子传输效率,有效提高样品测定动态区间。

技术领域

本发明属于质谱离子源技术领域,特别涉及一种光电子抑制电离源装置。

背景技术

真空紫外光能够使电离能低于其光子能量的有机物分子发生单光子电离,主要产生分子离子,几乎没有碎片离子,谱图简单,可根据分子量和信号强度进行快速的定性定量分析,但是只能电离电离能低于光子能量的分子,可分析物范围有限。利用真空紫外光源在试剂区产生的光电子可以发展得到不同的电离原,比如:光电子电离源、单光子-化学电离以及射频电场增强的单光子-化学电离源。通过调控电子能量可以扩大分析物电离范围,提高电离效率。然而,光电子通过电场作用引发除光电离之外的其它电离途径发生,比如:电离轰击电离、化学电离等,多种电离方式的存在,使得样品测定的线性动态范围变窄。此外,高气压下的光电离由于离子传输效率的降低会导致灵敏度下降。

发明内容

针对上述问题,本发明的目的在于提供一种光电子抑制电离源装置,以解决现有电离源装置,光电子通过电场作用时引发除光电离之外的其它电离途径发生,使得样品测定的线性动态范围变窄,及高气压下的光电离由于离子传输效率的降低会导致灵敏度下降的问题。

为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:

一种光电子抑制电离源装置,包括由上至下依次设置的紫外光源、顶部传输电极、多极杆电极及改性出口电极,其中顶部传输电极和改性出口电极的轴向开有通孔;紫外光源设置于顶部传输电极的顶部通孔处,用于向电离区照射紫外光;

顶部传输电极的上端设有顶盖电极挡光绝缘垫,顶盖电极挡光绝缘垫用于阻挡紫外光源的紫外光对顶部传输电极的辐照;

顶部传输电极和多极杆电极之间设有多极杆电极上绝缘垫;

多极杆电极和改性出口电极之间设有多极杆电极下绝缘垫,多极杆电极下绝缘垫用于阻挡紫外光源的紫外光对改性出口电极的辐照。

所述多极杆电极为多个且沿周向设置。

所述多极杆电极包括多极杆金属连接件、多极杆金属中间连接件及改性电极杆,其中多极杆金属连接件为两个,且分别设置改性电极杆的两端;所述多极杆金属中间连接件设置于改性电极杆的中部。

所述多极杆金属连接件和所述多极杆金属中间连接件均位于所述改性电极杆远离电离区的一侧。

两个所述多极杆金属连接件上施加直流电压;所述多极杆金属中间连接件上施加射频电压,实现离子的聚焦传输。

所述传输电极包括均开有通孔且同轴设置的顶盖电极和入口电极;

所述紫外光源设置于顶盖电极的上方,顶盖电极和入口电极之间设有入口电极绝缘垫,入口电极绝缘垫用于阻挡所述紫外光源的紫外光对入口电极的辐照;

所述顶盖电极和所述入口电极上施加有直流传输电压。

所述顶盖电极挡光绝缘垫、入口电极绝缘垫、多极杆电极上绝缘垫及多极杆电极下绝缘垫均为环形结构,所述顶盖电极挡光绝缘垫的内孔直径小于所述顶盖电极上的通孔直径;所述入口电极绝缘垫的内孔直径小于入口电极上的通孔直径;所述多极杆电极下绝缘垫的内孔直径小于所述改性出口电极的通孔直径。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院大连化学物理研究所,未经中国科学院大连化学物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110992538.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top