[发明专利]一种光电子抑制电离源装置

权利要求书

1.一种光电子抑制电离源装置，其特征在于，包括由上至下依次设置的紫外光源(1)、顶部传输电极、多极杆电极(7)及改性出口电极(9)，其中顶部传输电极和改性出口电极(9)的轴向开有通孔；紫外光源(1)设置于顶部传输电极的顶部通孔处，用于向电离区照射紫外光；

顶部传输电极的上端设有顶盖电极挡光绝缘垫(2)，顶盖电极挡光绝缘垫(2)用于阻挡紫外光源(1)的紫外光对顶部传输电极的辐照；

顶部传输电极和多极杆电极(7)之间设有多极杆电极上绝缘垫(6)；

多极杆电极(7)和改性出口电极(9)之间设有多极杆电极下绝缘垫(8)，多极杆电极下绝缘垫(8)用于阻挡紫外光源(1)的紫外光对改性出口电极(9)的辐照。

2.根据权利要求1所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述多极杆电极(7)为多个且沿周向设置。

3.根据权利要求2所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述多极杆电极(7)包括多极杆金属连接件(11)、多极杆金属中间连接件(12)及改性电极杆(13)，其中多极杆金属连接件(11)为两个，且分别设置改性电极杆(13)的两端；所述多极杆金属中间连接件(12)设置于改性电极杆(13)的中部。

4.根据权利要求3所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述多极杆金属连接件(11)和所述多极杆金属中间连接件(12)均位于所述改性电极杆(13)远离电离区的一侧。

5.根据权利要求3所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，两个所述多极杆金属连接件(11)上施加直流电压；所述多极杆金属中间连接件(12)上施加射频电压，实现离子的聚焦传输。

6.根据权利要求1所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述传输电极包括均开有通孔且同轴设置的顶盖电极(3)和入口电极(5)；

所述紫外光源(1)设置于顶盖电极(3)的上方，顶盖电极(3)和入口电极(5)之间设有入口电极绝缘垫(4)，入口电极绝缘垫(4)用于阻挡所述紫外光源(1)的紫外光对入口电极(5)的辐照；

所述顶盖电极(3)和所述入口电极(5)上施加有直流传输电压。

7.根据权利要求6所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述顶盖电极挡光绝缘垫(2)、入口电极绝缘垫(4)、多极杆电极上绝缘垫(6)及多极杆电极下绝缘垫(8)均为环形结构，所述顶盖电极挡光绝缘垫(2)的内孔直径小于所述顶盖电极(3)上的通孔直径；所述入口电极绝缘垫(4)的内孔直径小于入口电极(5)上的通孔直径；所述多极杆电极下绝缘垫(8)的内孔直径小于所述改性出口电极(9)的通孔直径。

8.根据权利要求6所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述顶盖电极挡光绝缘垫(2)、入口电极绝缘垫(4)、多极杆电极上绝缘垫(6)及多极杆电极下绝缘垫(8)均采用PEEK绝缘垫。

9.根据权利要求6所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述顶盖电极(3)的顶部设有凹槽，所述顶盖电极挡光绝缘垫(2)容置于该凹槽内。

10.根据权利要求6所述的光电子抑制电离源装置，其特征在于，所述顶盖电极(3)上设有进样毛细管(10)，所述进样毛细管(10)的进样端位于所述传输电极内侧的电离区内。