[发明专利]一种VPP端口的复用电路及VPP端口可复用的芯片有效
申请号: | 202110989415.6 | 申请日: | 2021-08-26 |
公开(公告)号: | CN113659978B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 张兵;王铭义;杜立杰 | 申请(专利权)人: | 上海芯圣电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;G06F13/40 |
代理公司: | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人: | 杨国瑞 |
地址: | 200000 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 vpp 端口 用电 可复用 芯片 | ||
本发明公开了一种VPP端口的复用电路及VPP端口可复用的芯片,其中,复用电路包括第一PMOS管、电压选择电路以及PMOS管控制电路单元;电压选择电路的输入端分别电连接芯片的VDD端以及VPP端,电压选择电路的输出端分别电连接第一PMOS管的衬底端以及PMOS管控制电路单元的电压端;第一PMOS管的漏极电连接VDD端,第一PMOS管的源极电连接VPP端;PMOS管控制电路单元的输入端电连接芯片的使能端,PMOS管控制电路单元的输出端电连接第一PMOS管的栅极;本发明在VPP端增加了PMOS管,使其在非烧录时具备推挽输出或输出拉电流功能,从而与普通IO功能相兼容,可被复用,且同时在烧录时还不会引起VPP高压对芯片系统电源VDD的影响,提高了芯片的扩展应用范围。
技术领域
本发明属于芯片技术领域,具体涉及一种VPP端口的复用电路及VPP端口可复用的芯片。
背景技术
目前,MCU(Microcontroller Unit,微控制单元)芯片通常都具备OTP(OneTimeProgrammable)寄存器,以实现程序的烧录;因而,大多芯片都具有VPP(Voltage Peak-Peak,峰峰值)端口;但是,在现有的VPP端口设计中,其不具备拉电流输出和输出高电平的能力,即其不支持推免输出,其原因为:
在程序烧录时,需要向VPP端口接入高压,如果VPP端口有用于输出拉电流或输出高电平的PMOS管,则会导致高压灌到芯片的供电电源VDD(Voltage Drain Drain,电源电压)上,从而影响芯片的正常工作;因此,现有的VPP端口一般不设有输出拉电流的PMOS管;由此,则会导致带有VPP端口的MCU芯片中,总有一个端口不兼具其它端口功能;如6脚的封装,除去VDD与GND引脚外,仅剩3个IO端口可做推挽输出,这就大大的限制了芯片的管脚复用功能;因此,如何实现VPP端口的复用功能,成为一个亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种VPP端口的复用电路及VPP端口可复用的芯片,以解决现有现有芯片的VPP端口无法支持推免输出的问题。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
本发明提供了一种VPP端口的复用电路,包括:第一PMOS管、电压选择电路以及PMOS管控制电路单元;
所述电压选择电路的输入端分别电连接芯片的VDD端以及VPP端,所述电压选择电路的输出端分别电连接所述第一PMOS管的衬底端以及所述PMOS管控制电路单元的电压端,用于选择VDD端以及VPP端之间较大的电压作为输出电压;
所述第一PMOS管的漏极电连接所述VDD端,所述第一PMOS管的源极电连接所述VPP端;
所述PMOS管控制电路单元的输入端电连接芯片的使能端,所述PMOS管控制电路单元的输出端电连接所述第一PMOS管的栅极,用于根据所述使能端输出的电平信号,导通或截止所述第一PMOS管,其中,当所述芯片的使能端输出低电平时,所述第一PMOS管的栅极电压等于所述VPP端的电压,以关断所述第一PMOS管。
基于上述公开的内容,本发明通过在VPP端口上设置一个PMOS管,以便利用第一PMOS管输出高电平以及拉电流;同时,还设置有电压选择电路以及PMOS管控制电路单元,从而来控制第一PMOS管的导通与截止,从而在VPP端口接入高压时,完全关断第一PMOS管,阻断VPP端口高压对芯片供电电源VDD的影响。
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