[发明专利]一种VPP端口的复用电路及VPP端口可复用的芯片

权利要求书

1.一种VPP端口的复用电路，其特征在于，包括：第一PMOS管(Q1)、电压选择电路以及PMOS管控制电路单元；

所述电压选择电路的输入端分别电连接芯片的VDD端以及VPP端，所述电压选择电路的输出端分别电连接所述第一PMOS管(Q1)的衬底端以及所述PMOS管控制电路单元的电压端，用于选择VDD端以及VPP端之间较大的电压作为输出电压；

所述第一PMOS管(Q1)的漏极电连接所述VDD端，所述第一PMOS管(Q1)的源极电连接所述VPP端；

所述PMOS管控制电路单元的输入端电连接芯片的使能端，所述PMOS管控制电路单元的输出端电连接所述第一PMOS管(Q1)的栅极，用于根据所述使能端输出的电平信号，导通或截止所述第一PMOS管(Q1)，其中，当所述芯片的使能端输出低电平时，所述第一PMOS管(Q1)的栅极电压等于所述VPP端的电压，以关断所述第一PMOS管(Q1)；

所述使能端包括第一使能管脚以及第二使能管脚；

其中，所述PMOS管控制电路单元包括第一或非门(B1)、第一电平转换电路、第一电平反相电路以及第二电平反相电路；

所述第一电平反相电路的输入端电连接所述第一使能管脚，所述第一电平反相电路的输出端电连接所述第一或非门(B1)的第一输入端，所述第一或非门(B1)的第二输入端电连接所述第二使能管脚；

所述第一或非门(B1)的输出端通过所述电平转换电路电连接所述第二电平反相电路的输入端，所述第二电平反相电路的输出端电连接所述第一PMOS管(Q1)的栅极，且所述第二电平反相电路的电压端电连接所述电压选择电路的输出端。

2.如权利要求1所述的一种VPP端口的复用电路，其特征在于，所述第一电平反相电路包括第一反相器(A1)，所述第二电平反相电路包括第二反相器(A2)。

3.如权利要求1所述的一种VPP端口的复用电路，其特征在于，所述电压选择电路包括：第二PMOS管(Q2)以及第三PMOS管(Q3)；

所述第二PMOS管(Q2)的栅极电连接所述VPP端，所述第二PMOS管(Q2)的漏极电连接所述VDD端，所述第二PMOS管(Q2)的源极电连接所述第三PMOS管(Q3)的源极；

所述第三PMOS管(Q3)的栅极电连接所述VDD端，所述第三PMOS管的漏极电连接所述VPP端。

4.如权利要求1所述的一种VPP端口的复用电路，其特征在于，所述复用电路还包括：开漏输出控制电路，其中，所述开漏输出控制电路的输入端电连接所述使能端，用于在所述VPP端的电压小于所述VDD端的电压时，根据所述使能端输出的电平信号，使所述VPP端实现开漏输出。

5.如权利要求4所述的一种VPP端口的复用电路，其特征在于，所述开漏输出控制电路包括：NMOS管(Q4)以及NMOS管控制电路；

所述NMOS管(Q4)的漏极电连接所述VPP端，所述NMOS管(Q4)的源极接地；

所述NMOS管控制电路的输入端电连接所述使能端，所述NMOS管控制电路的输出端电连接所述NMOS管(Q4)的栅极，其中，当所述使能端输出高电平时，所述NMOS管(Q4)的栅极电压等于所述VDD端的电压，以打开所述NMOS管(Q4)，实现所述VPP端的开漏输出。

6.如权利要求5所述的一种VPP端口的复用电路，其特征在于，所述使能端还包括：第三使能管脚以及第四使能管脚，其中，所述NMOS管控制电路包括第二或非门(B2)、第二电平转换电路以及第三反相器(A3)；

所述第二或非门(B2)的第一输入端电连接所述第三使能管脚，所述第二或非门(B2)的第二输入端电连接所述第四使能管脚；

所述第二或非门(B2)的输出端通过所述第二电平转换电路电连接所述第三反相器(A3)的输入端，所述第三反相器(A3)的输出端电连接所述NMOS管(Q4)的栅极，且所述第三反相器(A3)的电压端电连接所述电压选择电路的输出端。

7.一种VPP端口可复用的芯片，其特征在于，所述芯片的VPP端上连接有权利要求1～6任意一项所述的VPP端口的复用电路。