[发明专利]太阳能电池及其制作方法、光伏组件有效

申请号：	202110989144.4	申请日：	2021-08-26
公开（公告）号：	CN115132851B	公开（公告）日：	2023-06-16
发明（设计）人：	余丁;李文琪;赵世杰;张晓雯;柴嘉磊;张昕宇;金浩;杨洁	申请（专利权）人：	上海晶科绿能企业管理有限公司;浙江晶科能源有限公司
主分类号：	H01L31/0216	分类号：	H01L31/0216;H01L31/18
代理公司：	上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260	代理人：	成丽杰
地址：	201105 上海***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	太阳能电池及其制作方法组件
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【说明书】：

本申请实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，所述基底具有相对的前表面和后表面；位于所述前表面上且在远离所述前表面的方向上依次设置的第一钝化层、第二钝化层以及第三钝化层，其中所述第一钝化层包含电介质材料，所述第二钝化层包含第一氮化硅Sisubgt;m/subgt;Nsubgt;n/subgt;材料，n/m∈[0.5，1]，所述第三钝化层包括氮氧化硅SiOsubgt;i/subgt;Nsubgt;j/subgt;材料，j/i∈[0.1，0.6]；位于所述后表面上且在远离所述后表面的方向上依次设置的隧穿氧化层和掺杂导电层，其中，所述掺杂导电层与所述基底具有相同导电类型的掺杂元素。本申请实施例有利于提升太阳电池的光吸收效率。

技术领域

本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件。

背景技术

随着太阳能电池技术的不断发展，太阳光的吸收效率成为制约太阳能电池转换效率进一步提高的重要因素之一。太阳能电池的吸收效率与钝化结构的参数有关，钝化结构的参数包括但不限于叠层结构、膜层组分以及膜层厚度，因此优化钝化结构的参数成为提升太阳能电池转换效率的关键。

发明内容

本申请实施例提供一种太阳能电池及其制作方法、光伏组件，有利于提升太阳能电池和光伏组件的吸收效率。

为解决上述问题，本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有相对的前表面和后表面；位于所述前表面上且在远离所述前表面的方向上依次设置的第一钝化层、第二钝化层以及第三钝化层，其中所述第一钝化层包含电介质材料，所述第二钝化层包含第一氮化硅Si_mN_n材料，n/m∈[0.5，1]，所述第三钝化层包括氮氧化硅SiO_iN_j材料，j/i∈[0.1，0.6]；位于所述后表面上且在远离所述后表面的方向上依次设置的隧穿氧化层和掺杂导电层，其中，所述掺杂导电层与所述基底具有相同导电类型的掺杂元素。

另外，所述电介质材料包括氧化铝、氧化钛、氧化镓、氧化铪中的一种或多种。

另外，所述电介质材料为氧化铝Al_xO_y材料，且y/x∈[1.1，1.5]。

另外，在垂直于所述前表面的方向上，所述第一钝化层的厚度为3nm～10nm。

另外，在垂直于所述前表面的方向上，所述第二钝化层的厚度为40nm～60nm。

另外，在垂直于所述前表面的方向上，所述第三钝化层的厚度为20nm～50nm。

另外，所述第二钝化层的第二折射率大于所述第一钝化层的第一折射率以及所述第三钝化层的第三折射率。

另外，所述第一钝化层的折射率为1.6～1.7，所述第二钝化层的折射率为1.9～2.2，所述第三钝化层的折射率为1.45～1.8。

另外，太阳能电池还包括：第四钝化层，所述第四钝化层位于所述掺杂导电层背离所述基底的一侧，所述第四钝化层包含第二氮化硅Si_aN_b材料，a/b∈[3.5，6.8]。

另外，所述第四钝化层的折射率为2.04～2.2，在垂直于所述后表面的方向上，所述第四钝化层的厚度为60nm～100nm。

另外，所述第一钝化层还包括氧化硅材料，所述氧化硅材料介于所述基底和所述电介质材料之间。

另外，所述基底为N型半导体基底，所述掺杂导电层为N性掺杂多晶硅层、N型掺杂微晶硅层或N型掺杂非晶硅层中的至少一者。

相应地，本申请实施例还提供一种光伏组件，包括：电池串，由多个上述任一项所述的太阳能电池连接而成；封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。