[发明专利]太阳能电池及其制作方法、光伏组件

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有相对的前表面和后表面；

位于所述前表面上且在远离所述前表面的方向上依次设置的第一钝化层、第二钝化层以及第三钝化层，其中所述第一钝化层包含电介质材料，所述第二钝化层包含第一氮化硅Si_mN_n材料，n/m∈[0.5，1]，所述第三钝化层包括氮氧化硅SiO_iN_j材料，j/i∈[0.1，0.6]；

位于所述后表面上且在远离所述后表面的方向上依次设置的隧穿氧化层和掺杂导电层，其中，所述掺杂导电层与所述基底具有相同导电类型的掺杂元素；

所述电介质材料为氧化铝Al_xO_y材料，且y/x∈[1.1，1.5]；

其中，y/x、n/m和j/i为对应的原子数量比；

其中，在垂直于所述前表面的方向上，所述第一钝化层的厚度为3nm～10nm，所述第二钝化层的厚度为40nm～60nm，以及所述第三钝化层的厚度为20nm～50nm；

其中，所述第二钝化层的第二折射率大于所述第一钝化层的第一折射率以及所述第三钝化层的第三折射率。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的折射率为1.6～1.7，所述第二钝化层的折射率为1.9～2.2，所述第三钝化层的折射率为1.45～1.8。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：第四钝化层，所述第四钝化层位于所述掺杂导电层背离所述基底的一侧，所述第四钝化层包含第二氮化硅Si_aN_b材料，a/b∈[3.5，6.8]。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第四钝化层的折射率为2.04～2.2，在垂直于所述后表面的方向上，所述第四钝化层的厚度为60nm～100nm。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层还包括氧化硅材料，所述氧化硅材料介于所述基底和所述电介质材料之间。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述基底为N型半导体基底，所述掺杂导电层为N型掺杂多晶硅层、N型掺杂微晶硅层或N型掺杂非晶硅层中的至少一种。

7.一种光伏组件，其特征在于，包括：

电池串，由多个权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池连接而成；

封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；

盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。

8.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有相对的前表面和后表面；

在所述前表面上且在远离所述前表面的方向上依次设置的第一钝化层、第二钝化层以及第三钝化层，其中所述第一钝化层包含电介质材料，所述第二钝化层包含第一氮化硅Si_mN_n材料，n/m∈[0.5，1]，所述第三钝化层包括氮氧化硅SiO_iN_j材料，j/i∈[0.1，0.6]；

在所述后表面上且在远离所述后表面的方向上依次设置的隧穿氧化层和掺杂导电层，其中，所述掺杂导电层与所述基底具有相同导电类型的掺杂元素；

其中，所述电介质材料为氧化铝Al_xO_y材料，且y/x∈[1.1，1.5]，采用原子层沉积工艺形成所述第一钝化层，所述原子层沉积工艺的前驱物包括三甲基铝和水，沉积温度为150℃～250℃；

其中，y/x、n/m和j/i为对应的原子数量比；

其中，在垂直于所述前表面的方向上，所述第一钝化层的厚度为3nm～10nm，所述第二钝化层的厚度为40nm～60nm，以及所述第三钝化层的厚度为20nm～50nm；

其中，所述第二钝化层的第二折射率大于所述第一钝化层的第一折射率以及所述第三钝化层的第三折射率。